半導體制造、Fab以及Silicon Processing的基本知識

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發表 由 lung 于 周四 9月 06, 2012 10:13 am

YE的一天(4)

  拿過值班手機之後,就必須進入值班的狀態,想不進入都不行。

  Xxxxxx——Diff的領班:“餵,那個XX的管子到底可以不可以Release啊?——為什麽不行?——當然你是YE,——什麽時候才可以?——讓問Diff PE啊?——他說需要YE的command。——什麽?……”

  Xxxxxx——YE的小妹:“餵,ETCH的PE說我們的結果不對,要我們重掃。——什麽?讓他down機?——ETCH領班說這幾天產能不夠不能停機。——靠,那你自己去和ETCH領班講。”

  Xxxxxx——MPC的領班:“YE值班,再有10分鐘一個super hot lot會到scan站點,你進來建recipe吧。——什麽?不用建?你確定?”

  Xxxxxx——WET的PE:“那個我們剛才particle high,是因為測試wafer有問題,現在重做了一片,幫幫忙。——找小妹?不行啦,我擺不平她們,你面子大。——沒問題,4個小妹每人一瓶農夫果園。先申明,你沒份。”
  ……
  沒到15分鐘,就接了快10個電話,這工作狀態很快就來了。
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發表 由 lung 于 周四 9月 06, 2012 10:13 am

    看到一群研究生小朋友在這裏爭排名,爭校名,覺得很幼稚,很不切實際.你們可曾想過,橫在各位前面的,有更復雜,更可怕的問題?那就是-生涯規劃以及就業.
  
    
  
    問各位幾個簡單的問題吧,你將來想成為什麽樣的人?你想進入什麽樣的公司?
  
    很多人會回答:我想當高級主管,進臺積聯電賺股票.因為我崇拜張忠謀,曹興誠.
  
    以下是我就業三年以來,對臺灣電子信息產業的一些看法:
  
    1.半導體產業的專業分工的確是個趨勢,可惜的是,臺灣所分到的工,卻是需要龐大資金,高耗能,消耗人力的制造端.即俗稱的晶圓代工.而非低成本,智能導向,高報酬的設計端.但因為臺灣起步的早,已經造成了服務及資金上的障礙,後進者不易跨入.所以在近幾年造就了高獲利,獲利高就吸引人才投入.也就造成了大眾的誤解,認為進入晶圓代工業就是高科技人,其實,差遠了.接下來就生涯規劃的數個方向來探討:
  
    A.工作樂趣
  
    半導體,以研究的角度來看,是一種高科技.但晶圓代工,其擺脫不了“工廠“的本質.臺積有一千個碩士,二百個博士.其中大概只有10是在做先進的制程研發,另外90都是在做工廠的事,重復,無聊,疲累,不太用到大腦.還得忍受無塵室的衣著與輪班的痛苦.不僅不高科技,而且毫無樂趣可言.在美國,晶圓廠中生產線的事只有專科生才會去做,在臺灣卻是一堆碩博士搶著做.在美國,新的晶圓廠只會蓋在人煙稀少的沙漠或森林地區.
  
    因為美國人把它看做是一種高汙染的東西,在臺灣卻是蓋在科學園區裏,而且就在你家隔壁.以前臺積的wafertech本來要蓋在加州的santaclara,當地居民聞訊群起反對,州==跟老張說:不符合土地使用效益.
  
    美國人對晶圓代工是不是高科技,從臺積在美國發行的ADR也可以看出來-從來沒超過U$30.資本只有臺積五百分之一的Yahoo是U$270!由此可見智能和遠景的價值,連老張自己都說:臺積裏有一千多個碩博士,但真正有創意的找不到十幾個.這正反駁了曹董“晶圓代工是智慧密集產業“的說法.
  
    B.升遷
  
    現在進臺積聯電,未來想升遷,別鬧了!你去聯電跟人事的interview,她會問你一句話:若是當一輩子工程師的話,願不願意?這下你懂了嗎?其原因就在a.檔在你前面的人太多了,而且個個是碩博士b.最糟糕的是,你會發現你的主管沒大你幾歲,頂多十歲,晶圓廠的主管都是暨得利益者,不用進fab,不用輪班,只要開會看報告,每年領的股票是你的倍數,你說他會走嗎?等到他退休?你差不多也該退休了吧!等擴廠?對不起,有幾百個年資比你深的已經在卡位了!等南科?
  
    據研究這個大餅是不太可能實現的,就算實現了,以臺積6"12廠二十幾條module,目前博士及五年年資以上的碩士人數,也不夠分所有的主管位子.輪不到你的!去其它公司?哈!你會發現另外一大票人也有這種想法!到時候又被老鳥幹掉了.靠表現?前面說過晶圓廠裏創意的工作不多,頂多是靠勞力,比誰晚下班,比誰報告打字最漂亮...等等一些你們這群目前尚有遠大誌向的學生所不屑的工作.你會發現大家的表現都差不多,因為工作難度低嘛!靠諂媚?這一套蠻管用的,不過不是每個人都做的來!
  
    我是臺清交?對不起,不玩這一套,我是臺的,以前我們部門裏跟主管走的最近的是逢甲的.當然,公司也察覺了升遷問題的嚴重性,於是想出了一個聰明又簡單的方法-給title嘛!中國人喜歡title,就給你嘛!反正又不花錢,臺積有一種title叫“主任“,要進fab做工的.聯電有一種叫“高級工程師“下次你碰到一個“高級工程師“不要驚訝,他可能只做滿兩年!
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發表 由 lung 于 周四 9月 06, 2012 10:14 am

    C.賺錢
  
    這是絕大部份碩博士們在晶圓廠生存的唯一目標了,縱使很幹主管,但他們謨拜曹興誠張忠謀,期望自己以後變成大富翁.
  
    很多人以為進臺積聯電,就可以年年領股票,將來變成一個坐擁股山的大富翁,那就錯了!你知道一家公司為什麽要發股票嗎?簡單的說,是因為它有遠景,需要擴張,於是把去年賺來的錢,變成擴張的資本,去買設備,蓋廠房,那股東怎麽交待呢?賺的錢不是該照持股比例均分嗎?於是公司就把該發的現金,換成股票發給你.賺的錢裏面,也有員工配股的比例,聯電約8,臺積是7.
  
    但是,一家公司有可能會無限制的擴張下去嗎?如果是,那為什麽叫“有限公司“呢?中鋼這家公司是個絕好的例子,你知道嗎?它一年賺的錢不會少於臺積電呢!都在一百七八十億左右!!!EPS也恒常維持在2圓左右,如果你常看報紙,也會發現它是外資買賣的大標的之一,曝光率很高的,所以殆無疑問,它是一支積優股.今年初還被遴選為“世界最有效率的鋼廠“,可是--為什麽它的股價只有二十幾圓?
  
    那就是因為,它已經是一個成熟飽和的產業了,沒有再擴張的余地了,如今的盈虧,只能隨著全球景氣的起浮,很難以自身以技術或資本驅動成長.所以它不發股票給你了,只發現金,董事長王鍾渝說:比定存好一點.你想這樣的股票會吸引你嗎?於是推論到我們的臺積聯電,以後有沒有可能走到這樣的地步?
  
    答案是肯定的!只是不知道是什麽時候而已!沒錯,由臺積接到motorola的訂單,可以察覺IDM下單至專業代工廠的驅勢的確已經形成,但是你有沒有註意到,它是下0.25um的.它幾乎在同時,把更先進的0.18um技術移轉給新加坡的Charter,為什麽?它怕你臺積以後掐住它的喉嚨阿?半導體的制程與設計就像人的左右手,合作無間,密不可分,尤其是先進的制程,如果把它通通交給別人,就等於把一只手砍下來給別人幫你操作一樣.AMD的K7產能嚴重不足是導致占有率偏低的主因,但它還是不敢下單給號稱已有cpu制程技術的臺灣代工廠,寧願在自己的IDM慢慢熬,why?為什麽矽統會莽莽撞撞的要自己蓋晶圓廠?為什麽淩陽當初想收購德碁的六吋廠?因為被臺積掐喉嚨掐怕了阿!TI的總裁前天來臺灣被記者問到有沒有意願下DSP的單子給臺灣,他連忙搖頭說不可能,DSP是TI的命脈,制程研發當然是自己做,不過他說,有可能把10的“模擬“產品交給臺灣,我們知道模擬的東西0.6um就綽綽有余了.
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發表 由 lung 于 周四 9月 06, 2012 10:14 am

    另外我們可以就全球各IDM的動向來觀察臺灣的晶圓代工業的成長:a.美國:IBM的bluelogic拉走了臺積一堆客戶就別提了,其它的IDM也很聰明,除了下單給你,它還會扶植一些你的敵人,以免以後被你掐喉嚨,除了前面的motorola-Charter,還有Lucent-Charter,HP-Charter&Tower,TI-韓國的安南....不勝枚舉,都是放資金進去的,以後當然是優先照顧啰b.韓國:自己產能都嚴重過剩,當然不可能下給你,還跟你搶代工的生意呢!甚至搶到臺灣來了,去年韓國人把一片0.35um八吋代工砍到六百元的慘劇想必大家仍記憶猶新吧!c.歐洲:算是跟臺灣晶圓代工比較親密的一群,尤其是Philips,下了很多大單子給臺積,可是你有沒有註意到,STM,Siemens仍然不斷的再蓋廠d.日本:才剛開始,是臺積聯電渴望開發的處女地,可是你覺得日本人會比美國人笨嗎?從富士通的動作就可以看出來:德碁一rampup起來,在臺積的單子馬上轉過去了,哈,一個敵人扶植起來啦!
  
    即便有這麽多的阻力,我相信臺灣晶圓代工的成長仍然是可以預期的,如果半導體的年需求量仍有Dataquest講的,15/Y,而且我對臺灣工程師精良的技術及服務深具信心,但是但是,成長如果有阻力,就不可能是無止境的.晶圓代工的成長什麽時候會到一個平衡點?臺積聯電什麽時候會變的跟中鋼一樣,“年賺數百億,股價二十元“,變成上個世代的產業?講的更白一些,如果你現在進臺積聯電,還能撈多久.
  
    這個問題,最先看到的是張忠謀,他知道研發創新是產業成長的動力,那半導體這種東西可以創新到什麽時候呢?他說:照目前shrink的速度,在翻幾翻就差不多了.樂觀的估計是10"15年.Berkeley的教授PaulMesser用統計學的種種方法丟進計算機去算,是7.56年.
  
    如果5"10年前就進了臺積聯電,那麽恭喜你,你是富翁了,而且你有希望成為主管,或你已經坐在主管位子上了,從此你的生活無虞,可以幹到60歲退休不成問題,不過請你一定要註意,在股票高點的時候一定不要戀棧,速速賣掉,以免到了退休的時候,可能會抱著一堆20幾圓的股票不知所措.
  
    如果你在臺積聯電的年資是3"5年,那麽大家來互砍拼主管吧,大家都知到在fab做工的人,升主管是唯一不必中年轉業的救贖之道.
  
    如果你現在才想進去,抱歉,沒什麽好康的了,頂多每年基本比例的股票而已,最糟糕的是,你會因為升不了主管,工程師又幹不久,而被強迫中年轉業,你的股票,要讓你創業,養家活口兼退休金,恐怕有點困難.下節待續,將討論生涯規劃,為什麽稱晶圓代工是扼殺創意的元兇,及為什麽智慧產業對臺灣是如此的重要.


  D.生涯規劃
    
    現在臺積電內部的工程師間很流行一些話題,一是“十年計劃“,因為老張說“臺積未來的十年會更好“,所以大家銘記在心了.這個計劃就是,如果照現今一年二三十張的股票以及百元以上的股價,如果都不賣,十年後大概就有二三千萬.為什麽幹十年就要跑了呢?因為大家都明了,這種工作不是可以久幹的,前面說過,體力導向,難度低,取代性高.適合年輕力壯時做.
  
    至於十年後的股價是不是仍然能在百元以上,就是大家認知上的盲點了,前面已經做了詳細的討論.但不變的事實就是:十年後你的人生就是押在一堆股票上面,你沒有專業了,不管你研究所是念信息,化工還是材料.四十歲了,在fab混了十年跑出來,和其它領域脫節太久,不可能再回去了.那麽做什麽好呢?這是第二個流行的話題,叫做“第二春“,有人打算合夥開幼兒園,安親班,有人打算專心當個股票族,以證券公司為家;有人想當泡沫紅茶店的老板;比較積極一點的,想投資一些新的科技公司,可是對一個在fab這種僵化的地方待久的人來說,什麽叫新科技,是很模糊茫然的.四十歲了,當然要有第二春,試想一個人若是打算活到八十歲的話,還有四十年要熬呢!
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發表 由 lung 于 周四 9月 06, 2012 10:14 am

    但是,以上一切第二春要實現的前提,完全建立在你手中的一堆股票上面,四十年之內,要夠你買房子,養二個小孩,投資創業--不能虧本喔,要不然小孩以後的學費,或是你的退休金就沒了.因為臺積的薪水之低,在園區是出了名的,所以這十年內你不可能不賣股票;加上臺積人為了維持有錢人的形象,每個人都立誌住別塾,開名車.假設,聽好喔,你付完了你的別墅及名車,而且前面講的中鋼那種事不會發生,你還有一千萬的股票,請問各位一個問題,用一千萬來投資創業,實現第二春,小孩養到成人,並存一筆退休金,從四十歲撐到八十歲,夠不夠?註意,中鋼的事不能發生,你開的店不能倒喔!
  
    我想,每個人的心中都有答案了吧!
  
    那就繼續幹下去呀!幹麽走呢?可以的,如果以你四十歲的年紀還受得了那種環境,還能輪班的話,而且你要小心到時候的臺灣勞基法必須保障資深的員工,因為後面有一大堆小你十歲,薪水比你低,沒家累,每天可以加班到十點還是活龍一條的人準備取代你!
  
    有些不認命的,就有第三種話題,那就是“鍍金說“,他們認為,以臺積目前的聲望及名氣(辦音樂會啦,認養公園啦,老張到處去說它是“世界級企業“啦....),在裏面待過就是鍍一層金,去其它fab廠一定是睥睨群人,榮登主管.前面說過了,工程師們沒有一個是笨蛋,臺積內部有這種算計的人何止數百.可惜的是他們雖然不笨,卻都有人性上的弱點--要撈夠了才走,等臺積沒有撈頭的時侯,其它廠的主管缺還有你的位子嗎?是不是又會變成像在廠內一樣,老鳥坑殺菜鳥的局面?這個行業已經走到了以年資敘賞的地步,你會發現永遠有一堆人的年資比你久!
  
    
  
    2.林林總總說了許多,無非是想告訴你,還沒走出社會的眾多研究生學弟妹們,在現今媒體吹捧兼以企業領導人造勢的晶圓代工業,在重重的彩色煙幕後面,有哪些你看不到,而且與你切身相關的東西.總結如下:
  
    A.半導體是一種高科技,但晶圓代工本質上是偏向“工廠“的.在現今碩博士畢業者眾的狀況下,如果你研究的東西跟半導體不相關,你就無法進入制程研發,或者組件設計仿真等較能發揮專長與創意部門,你做的事就很可能只是工廠的事.而那占了晶圓廠近90的工職.
  
    B.晶圓廠的工作,很多必須是輪班的,重復,瑣碎,貨多的時候,壓力很大,如果打定主意要在晶圓廠發展,升主管(只需開會和看報告的主管)是唯一的解脫之道,但是目前看來,各單位年資5"10年者,恐怕南科那一兆的廠蓋起來(很難!),都不夠分他們的主管位子,現在進去,要升主管是很難的.
  
    C.硬件的發展是有其極限的,半導體微縮制程的進展,根據專家估計在7.56"15年之間,就會達到一個極限.但市場競爭,合縱連橫所導致的產業發展成熟而停滯,可能來的更快.你想進晶圓代工賺股票,要註意這種趨勢的發展--你該算計一下你想去的地方,發股票可以發到什麽時候,若幹年後你受不了想出來了,它的股價會是多少.
  
    D.如果你在晶圓代工廠裏是做工廠的事,那麽這樣的工作內容,是無法讓你俱備某種可以轉業,創業的特殊專長的,也就是說,你在晶圓廠消耗的光陰,學到的東西,不太能夠成為你將來更上一層樓的籌碼,如果你不想在晶圓廠混下去的話.若是你股票賺的不夠多,中年轉業要撐到退休,壽終,難度相當高--這是你最需要擔心的一點.
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發表 由 lung 于 周四 9月 06, 2012 10:15 am

    到底什麽是創意呢?為什麽要強調創意呢?簡單的說,創意就是:你可以看到人家看不到的,在這件事物上面,把它做的更好,更快,或是更便宜--這不是各位正在做的論文嗎(如果你不是文抄公的話)?具體的說,它就是一種智慧財產.不管是有形的一顆芯片,一段程序代碼,一種制造配方;或是無形的,一種服務方法,一個能夠振衰起蔽的口號,一個組織再造的方案.都是創意的表現.唯有創意,才能破繭而出,找到生存發展的活路;唯有創意,才能甩開對手,保持你目前的競爭力;唯有創意,才能帶給你工作上無比的成就感與快樂,也唯有創意,才是你的成功與致富之道.
  
  
    我們說美國是任何idea的發源地,為什麽他們總是有這麽新穎,這麽好的idea?除了他們匯集了最好的人才之外,另外很重要的一點是:任何人才都能適得其所,找到符合他們所學,可以讓自己發揮才情的地方.也正因為如此,全球最好的人才紛紛流向美國,經由一個良好規範下的自由競爭體制,這些人粹煉出許多世界第一的企業.在矽谷,很少人會獻慕你在Intel或是Lucent,相反的大家有點把這種大公司當作是初出校園的"人才訓練所".大家只問你有沒有idea,idea,idea.所以這裏創業風氣之盛,世所僅見.
  
    當然,失敗也是常態,這兒的人習慣失敗,"失敗只是告訴你,這樣的方法不行,於是你離成功又近了一些".當臺灣的工程師聚在晶圓廠的一隅談論著哪家又接到誰的單子,哪加上月營業額又沖到多少的時候,矽谷的工程師可能在交換最新的技術或產品信息.當臺灣一個剛退伍的年輕人,還在著迷於晶圓廠漂亮的大廳和報章雜誌上每每提到高科技,其附圖必為無塵室的光鮮形象的時候,美國一個剛畢業的小夥子可能在他家後院的車庫創業了.所以,當我們熱切的預測晶圓廠的工程師十年後可以撈到數千萬的時候,四個印度工程師在矽谷,發明了超強的數據庫查詢處理引擎,Amazon以新臺幣66億將它買了下來;三個UIUC的博士班輟學生,發明了超高效率的"靜態時序分析算法",旋即成立公司,Synopsys以每金六千萬跟它技術授權,這樣的例子,俯拾即是,在矽谷當地的報紙算是小新聞了.抱歉我是學電機的,所以只能舉一些相關的例子,在其它的領域,一定也有相當多類似的成功實例.
  
    他們有創意,有遠見,不怕失敗,就是為了一個夢想--要成功,要致富."Adreammakesateam,theteambuildsthedream!"張忠謀所強調的創業精神,該就是如此吧!
  
    臺灣的產業,能讓各位發揮創意的,實在不多,提來提去,所謂標竿企業就是那幾家擁有數個大工廠的公司--制造業掛帥,就是我們的特色.為什麽我們的黨政大員,企業領袖,現在總是把創意創意掛在嘴邊?因為他們很清楚,制造業的特質,就是往低人工成本與低土地成本的地方移動,為什麽日本的半導體業要outsourcing到臺灣,因為臺灣做的又好又便宜.大陸正在發展他們的"集成電路工業",NEC在上海的華虹,Motorola的天津廠都有0.35um的制程,雖然,因為政治的因素,他們沒有辦法得到先進的制程設備,可是,在臺灣請一個工程師,在大陸可以請十個,在臺灣租一塊地,在大陸可以買十塊,更可怕的是,現在在美國各大公司的先進半導體實驗室,大陸人不知凡幾,臺灣人都不見了,回來撈錢了.臺灣工程師的薪水越來越高,園區的地越來越貴.學生們都不願意出國去學更先進的技術,寧願進工廠,做股票的大夢.你憑什麽說,大陸的晶圓代工,永遠沒法子威脅臺灣?胡定華說,大陸的半導體業在十年後,會成為臺灣嚴重的威脅,哈,又是一個"十年理論"!
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發表 由 lung 于 周四 9月 06, 2012 10:15 am

    當然,我們仍然可以在這個代工廠遍布的小島上,找到一些靠著創意與努力,結出甜美果實的例子,高雄左營有家公司叫"微妙軟件",老板和14個工程師散盡家財,每天焚膏繼晷,終於研發出世界最強的3D/VR(虛擬實境)引擎,Intel舍棄微軟的同類型產品,準備用他們的來demoPentiumIII.
  
    許多大公司想收購他們,或爭相入股,都被拒絕了.他們著眼於龐大的教育,遊戲軟件市場,預計2000年的EPS有57元!!--請註意這一家公司,這裏寫的很簡單而已!中正大學的網絡實驗室,開發出功能最強的中文搜尋引擎,現在已經成立了一家公司.國內各大網站莫不使用其技術.還有我們熟知的趨勢,矽統,友立...,像是沙漠中綻放的雛菊,在向世人昭告:我們也有以自己的智能開發出來的產品!
  
    具備創業精神,並不就是叫你去創業,而是一種工作態度.張忠謀告訴你,只要能夠發揮創業精神,你就能成功立業.
  
    同學們,看了以上所舉的各種實例,你有什麽感想呢?
  
    晶圓代工是別人的創意,所以他當大老板,你當小嘍啰;他賺大錢,你賺小錢,小錢不要緊,糟糕的是你的小錢完全操之於人,操之於環境,你該發幾張,可撈幾年,股價多少,幾乎是由別人來決定.而且,你的人生好比開口向下的拋物線--一開始很風光,若幹年後變得平緩,進而停滯,以後會不會下滑,我就不知道了.如果你堅持要做能發揮創意的工作,而且秉持著張忠謀所講的創業精神,不怕苦,不怕難,勇敢面對人生的無常.
  
    我始終相信聖經裏的一句話:凡付出者,必得報償.你會成功的.此時你對你該有什麽地位,該賺多少錢,有多得多的掌控權.即使環境再差,你仍然可以帶著以前學會的一身應付挫折,突破困境的好功夫,放手一博,說不定可以再創一番新境界.你的人生,好比是一個開口向上的拋物線,一開始很郁卒,失敗挫折接踵而來,爾後漸入佳境,然後向上攀升.
  
    兩條不同的人生路途,絕大部份的人是選擇前者的,因為看的見,摸的到,阻力小.只有少部份的人是選擇後者.各位崇拜的張忠謀,曹興誠,還有當初跟他們一起披荊斬棘的諸多夥伴,是選擇後者的.
  
    我們臺灣,需要多一點這樣的人.我們要擺脫制造業的宿命,就要充份運用全世界密度最高,素質也最好的碩士群,完整而全面的,發展具創意與創業精神的高科技產業或服務業.有人說我們不用抄襲美國,那麽蕭萬長會告訴你,只有這樣才是臺灣的活路.
  
    但是人力的配置,最終的決定權仍然是在擁有某種專業背景的你,你決定去哪兒,我們產業就會走往那個方向.
  
    這樣的決定,是個巨大的心靈工程,需要耗費許多時間精力,充份的了解,了解,再了解,了解一個產業,一家公司,明辨何者是浮面,何者是真實.了解你自己最深沈的內在,你想要什麽?你有多少能量?能做什麽事?
  
    這樣的了解,有人花了數年,有人花了數十年,才終於"開悟"我不懂,即將面臨就業,這樣一個復雜,卻也是人生中最早,時機最好的關卡的你們,怎麽會有時間來吵排名,吵校名呢?
  
    我是從晶圓代工業逃出來的人,這篇文章因此引用晶圓代工的例子也最多,我匯集自身的經驗及心得,只為了告訴你一件事:那裏沒什麽機會了,你該帶著你的創意及夢想,尋找,甚或開創另外一片新的天空,不要路走到一半才來後悔,才驚覺浪費了太多的時間,像我這樣.
  
    網絡是開放的園地,一種主張,說法,總有正反兩面的意見,對於許多網友的肯定,我衷心感謝,網友們的指正,我誠心接受,至於網友們情緒性的攻訐,否定,就是各位學弟妹們的作業了--去明辨吧.
  
    得罪了許多老同事,在此也衷心致歉.
  
    希望能帶給各位一些幫助
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發表 由 lung 于 周四 9月 06, 2012 10:15 am

  SMIC的問題,實際上就是人的問題。當然,作為一個大公司,不可能讓所有的人都非常滿意。但是應該要讓大多數人感到滿意。我覺得這是一個底線。任何公司中都會有那麽一個“牢騷”群體,總會有很多人感到非常不爽。但是,絕對不能讓大多數人感到不痛快。不去講什麽大道理,現在的時代已經不是一棵樹上吊死的時代了,有些人不爽了之後會胡言亂語,但更多的人則是默默地離開。
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發表 由 lung 于 周四 9月 06, 2012 10:16 am

還以為LZ是國內哪個設計公司做數字設計的牛人,結果就一個HR啊......

  哎......
  
  奉勸所有考慮或正在進入這行的筒子們,3思~~~~

  這不是一個什麽黃金行業,特別是在中國。
  
  技術的水深以及資金風險遠遠大於其他普通技術行業,別看有些人好像混得很好,但這些多數是foundry裏業務中上層,不是靠技術吃飯的,就象LZ這種,而foundry,多數是靠政府吃飯的,就像smic這種。

  另外一些的就是國外大公司在中國的業務部門裏的人,當然也不是靠技術吃飯的。

  最後,還有一些直接靠補貼之類的,當然與技術關系也不大。
  
  當然,靠技術出頭的不是沒有,但那個機會和難度遠非普通人可以做到,而且這種機會隨著時間已經越來越少了。
  
  奉勸要進入這行的,可以考慮用同樣的精力去炒房,回報絕對比你做技術多 ===========================================================
  CVD

  晶圓制造廠非常昂貴的原因之一,是需要一個無塵室,為何需要無塵室
  答:由於微小的粒子就能引起電子組件與電路的缺陷

  何謂半導體?
  答:半導體材料的電傳特性介於良導體如金屬(銅、鋁,以及鎢等)和絕緣和橡膠、塑料與幹木頭之間。最常用的半導體材料是矽及鍺。半導體最重要的性質之一就是能夠藉由一種叫做摻雜的步驟刻意加入某種雜質並應用電場來控制其之導電性。

  常用的半導體材料為何
  答:矽(Si)、鍺(Ge)和砷化家(AsGa)

  何謂VLSI
  答:VLSI(Very Large Scale Integration)超大規模集成電路

  在半導體工業中,作為絕緣層材料通常稱什幺
  答:介電質(Dielectric)

  薄膜區機臺主要的功能為何
  答:沈積介電質層及金屬層

  何謂CVD(Chemical Vapor Dep.)
  答:CVD是一種利用氣態的化學源材料在晶圓表面產生化學沈積的制程

  CVD分那幾種?
  答:PE-CVD(電漿增強型)及Thermal-CVD(熱耦式)

  為什幺要用鋁銅(AlCu)合金作導線?
  答:良好的導體僅次於銅

  介電材料的作用為何?
  答:做為金屬層之間的隔離

  何謂PMD(Pre-Metal Dielectric)
  答:稱為金屬沈積前的介電質層,其界於多晶矽與第一個金屬層的介電質

  何謂IMD(Inter-Metal Dielectric)
  答:金屬層間介電質層。

  何謂USG?
  答:未摻雜的矽玻璃(Undoped Silicate Glass)

  何謂FSG?
  答:摻雜氟的矽玻璃(Fluorinated Silicate Glass)

  何謂BPSG?
  答:摻雜硼磷的矽玻璃(Borophosphosilicate glass)

  何謂TEOS?
  答:Tetraethoxysilane用途為沈積二氧化矽

  TEOS在常溫時是以何種形態存在?
  答:液體

  二氧化矽其K值為3.9表示何義
  答:表示二氧化矽的介電質常數為真空的3.9倍

  氟在CVD的工藝上,有何應用
  答:作為清潔反應室(Chamber)用之化學氣體

  簡述Endpoint detector之作用原理.
  答:clean制程時,利用生成物或反應物濃度的變化,因其特定波長光線被 detector 偵測到強度變強或變弱,當超過某一設定強度時,即定義制程結束而該點為endpoint.

  機臺使用的管件材料主要有那些?
  答:有不銹鋼制(Stainless Steal),黃銅制(Brass),塑膠制(PVC),特氟隆制(Teflon)四種.

  機器維修時要放置停機維修告示牌目的為何?
  答:告知所有的人勿操作機臺,避免危險

  機臺維修至少兩人配合,有何目的?
  答:幫忙拆卸重物,並隨時警戒可能的意外發生

  更換過任何氣體管路上的零件之後,一定要做何動作?
  答:用氦氣測漏機來做測漏

  維修尚未降至室溫之反應室(Chamber),應配帶何種手套
  答:石棉材質之防熱手套並宜在80攝式度下始可動作

  何為真空(Vacuum)?半導體業常用真空單位是什幺?
  答:半導體業通常用Torr作為真空的壓力單位,一大氣壓相當760Torr,低於760Torr壓力的環境稱為真空.

  真空Pump的作用?
  答:降低反應室(Chamber)內的氣體密度和壓力

  何謂內部連鎖(Interlock)
  答:機臺上interlock有些屬於保護操作人員的安全,有些屬於水電氣等規格訊號,用以保護機臺.

  機臺設定許多interlock有何作用?
  答:機臺上interlock主要避免人員操作錯誤及防止不相關人員動作.

  Wafer Scrubber的功能為何?
  答:移除芯片表面的汙染粒子
  

  ETCH

  何謂蝕刻(Etch)?
  答:將形成在晶圓表面上的薄膜全部,或特定處所去除至必要厚度的制程。

  蝕刻種類:
  答:(1) 幹蝕刻(2) 濕蝕刻

  蝕刻對象依薄膜種類可分為:
  答:poly,oxide, metal

  半導體中一般金屬導線材質為何?
  答:鵭線(W)/鋁線(Al)/銅線(Cu)

  何謂 dielectric 蝕刻(介電質蝕刻)?
  答:Oxide etch and nitride etch

  半導體中一般介電質材質為何?
  答:氧化矽/氮化矽

  何謂濕式蝕刻
  答:利用液相的酸液或溶劑;將不要的薄膜去除

  何謂電漿 Plasma?
  答:電漿是物質的第四狀態.帶有正,負電荷及中性粒子之總和;其中包含電子,正離子,負離子,中性分子,活性基及發散光子等,產生電漿的方法可使用高溫或高電壓.

  何謂幹式蝕刻?
  答:利用plasma將不要的薄膜去除

  何謂Under-etching(蝕刻不足)?
  答:系指被蝕刻材料,在被蝕刻途中停止造成應被去除的薄膜仍有殘留

  何謂Over-etching(過蝕刻 )
  答:蝕刻過多造成底層被破壞

  何謂Etch rate(蝕刻速率)
  答:單位時間內可去除的蝕刻材料厚度或深度

  何謂Seasoning(陳化處理)
  答:是在蝕刻室的清凈或更換零件後,為要穩定制程條件,使用仿真(dummy) 晶圓進行數次的蝕刻循環。

  Asher的主要用途:
  答:光阻去除

  Wet bench dryer 功用為何?
  答:將晶圓表面的水份去除

  列舉目前Wet bench dry方法:
  答:(1) Spin Dryer (2) Marangoni dry (3) IPA Vapor Dry

  何謂 Spin Dryer
  答:利用離心力將晶圓表面的水份去除

  何謂 Maragoni Dryer
  答:利用表面張力將晶圓表面的水份去除

  何謂 IPA Vapor Dryer
  答:利用IPA(異丙醇)和水共溶原理將晶圓表面的水份去除

  測Particle時,使用何種測量儀器?
  答:Tencor Surfscan

  測蝕刻速率時,使用何者量測儀器?
  答:膜厚計,測量膜厚差值

  何謂 AEI
  答:After Etching Inspection 蝕刻後的檢查

  AEI目檢Wafer須檢查哪些項目:
  答:(1) 正面顏色是否異常及刮傷 (2) 有無缺角及Particle (3)刻號是否正確

  金屬蝕刻機臺轉非金屬蝕刻機臺時應如何處理?
  答:清機防止金屬汙染問題

  金屬蝕刻機臺asher的功用為何?
  答:去光阻及防止腐蝕

  金屬蝕刻後為何不可使用一般硫酸槽進行清洗?
  答:因為金屬線會溶於硫酸中

  "Hot Plate"機臺是什幺用途?
  答:烘烤

  Hot Plate 烘烤溫度為何?
  答:90~120 度C

  何種氣體為Poly ETCH主要使用氣體?
  答:Cl2, HBr, HCl

  用於Al 金屬蝕刻的主要氣體為
  答:Cl2, BCl3

  用於W金屬蝕刻的主要氣體為
  答:SF6

  何種氣體為oxide vai/contact ETCH主要使用氣體?
  答:C4F8, C5F8, C4F6

  硫酸槽的化學成份為:
  答:H2SO4/H2O2

  AMP槽的化學成份為:
  答:NH4OH/H2O2/H2O

  UV curing 是什幺用途?
  答:利用UV光對光阻進行預處理以加強光阻的強度

  "UV curing"用於何種層次?
  答:金屬層

  何謂EMO?
  答:機臺緊急開關

  EMO作用為何?
  答:當機臺有危險發生之顧慮或已不可控制,可緊急按下

  濕式蝕刻門上貼有那些警示標示?
  答:(1) 警告.內部有嚴重危險.嚴禁打開此門 (2) 機械手臂危險. 嚴禁打開此門 (3) 化學藥劑危險. 嚴禁打開此門

  遇化學溶液泄漏時應如何處置?
  答:嚴禁以手去測試漏出之液體. 應以酸堿試紙測試. 並尋找泄漏管路.

  遇 IPA 槽著火時應如何處置??
  答:立即關閉IPA 輸送管路並以機臺之滅火器滅火及通知緊急應變小組

  BOE槽之主成份為何?
  答:HF(氫氟酸)與NH4F(氟化銨).

  BOE為那三個英文字縮寫 ?
  答:Buffered Oxide Etcher 。

  有毒氣體之閥櫃(VMB)功用為何?
  答:當有毒氣體外泄時可利用抽氣裝置抽走,並防止有毒氣體漏出

  電漿的頻率一般13.56 MHz,為何不用其它頻率?
  答:為避免影響通訊品質,目前只開放特定頻率,作為產生電漿之用,如380~420KHz ,13.56MHz,2.54GHz等

  何謂ESC(electrical static chuck)
  答:利用靜電吸附的原理, 將 Wafer 固定在極板 (Substrate) 上

  Asher主要氣體為
  答:O2

  Asher機臺進行蝕刻最關鍵之參數為何?
  答:溫度

  簡述TURBO PUMP 原理
  答:利用渦輪原理,可將壓力抽至10-6TORR

  熱交換器(HEAT EXCHANGER)之功用為何?
  答:將熱能經由介媒傳輸,以達到溫度控制之目地

  簡述BACKSIDE HELIUM COOLING之原理?
  答:藉由氦氣之良好之熱傳導特性,能將芯片上之溫度均勻化

  ORIENTER 之用途為何? 
  答:搜尋notch邊,使芯片進反應腔的位置都固定,可追蹤問題

  簡述EPD之功用
  答:偵測蝕刻終點;End point detector利用波長偵測蝕刻終點

  何謂MFC?
  答:mass flow controler氣體流量控制器;用於控制 反應氣體的流量

  GDP 為何?
  答:氣體分配盤(gas distribution plate)

  GDP 有何作用?
  答:均勻地將氣體分布於芯片上方

  何謂 isotropic etch?
  答:等向性蝕刻;側壁側向蝕刻的機率均等

  何謂 anisotropic etch?
  答:非等向性蝕刻;側壁側向蝕刻的機率少

  何謂 etch 選擇比?
  答:不同材質之蝕刻率比值

  何謂AEI CD?
  答:蝕刻後特定圖形尺寸之大小,特征尺寸(Critical Dimension)

  何謂CD bias?
  答:蝕刻CD減蝕刻前黃光CD

  簡述何謂田口式實驗計劃法?
  答:利用混合變因安排輔以統計歸納分析

  何謂反射功率?
  答:蝕刻過程中,所施予之功率並不會完全地被反應腔內接收端所接受,會有部份值反射掉,此反射之量,稱為反射功率

  Load Lock 之功能為何?
  答:Wafers經由loadlock後再進出反應腔,確保反應腔維持在真空下不受粉塵及濕度的影響.

  廠務供氣系統中何謂 Bulk Gas ?
  答:Bulk Gas 為大氣中普遍存在之制程氣體, 如 N2, O2, Ar 等.

  廠務供氣系統中何謂Inert Gas?
  答:Inert Gas 為一些特殊無強烈毒性的氣體, 如 NH3, CF4, CHF3, SF6 等.

  廠務供氣系統中何謂Toxic Gas ?
  答:Toxic Gas 為具有強烈危害人體的毒性氣體, 如 SiH4, Cl2, BCl3 等.

  機臺維修時,異常告示排及機臺控制權應如何處理?
  答:將告示牌切至異常且將機臺控制權移至維修區以防有人誤動作

  冷卻器的冷卻液為何功用 ?
  答:傳導熱

  Etch之廢氣有經何種方式處理 ?
  答:利用水循環將廢氣溶解之後排放至廢酸槽

  何謂RPM?
  答:即Remote Power Module,系統總電源箱.

  火災異常處理程序
  答:(1) 立即警告周圍人員. (2) 嘗試 3 秒鐘滅火. (3) 按下EMO停止機臺. (4) 關閉 VMB Valve 並通知廠務. (5) 撤離.

  一氧化碳(CO)偵測器警報異常處理程序
  答:(1) 警告周圍人員. (2) 按 Pause 鍵,暫止 Run 貨. (3) 立即關閉 VMB 閥,並通知廠務. (4) 進行測漏.

  高壓電擊異常處理程序
  答:(1) 確認安全無慮下,按 EMO鍵(2) 確認受傷原因(誤觸電源,漏水等)(3) 處理受傷人員

  T/C (傳送Transfer Chamber) 之功能為何 ?
  答:提供一個真空環境, 以利機器手臂在反應腔與晶舟間傳送 Wafer,節省時間.

  機臺PM時需佩帶面具否
  答:是,防毒面具

  機臺停滯時間過久run貨前需做何動作
  答:Seasoning(陳化處理)

  何謂日常測機
  答:機臺日常檢點項目, 以確認機臺狀況正常

  何謂WAC (Waferless Auto Clean)
  答:無wafer自動幹蝕刻清機

  何謂Dry Clean
  答:幹蝕刻清機

  日常測機量測etch rate之目的何在?
  答:因為要蝕刻到多少厚度的film,其中一個重要參數就是蝕刻率

  操作酸堿溶液時,應如何做好安全措施?
  答:(1) 穿戴防酸堿手套圍裙安全眼鏡或護目鏡(2) 操作區備有清水與水管以備不時之需(3) 操作區備有吸酸棉及隔離帶

  如何讓chamber達到設定的溫度?
  答:使用heater 和 chiller

  Chiller之功能為何?
  答:用以幫助穩定chamber溫度

  如何在chamber建立真空?
  答:(1) 首先確立chamber parts組裝完整(2) 以dry pump作第一階段的真空建立(3) 當圧力到達100mTD寺再以turbo pump 抽真空至1mT以下

  真空計的功能為何?
  答:偵測chamber的壓力,確保wafer在一定的壓力下 process

  Transfer module 之robot 功用為何?
  答:將wafer 傳進chamber與傳出chamber之用

  何謂MTBC? (mean time between clean)
  答:上一次wet clean 到這次wet clean 所經過的時間

  RF Generator 是否需要定期檢驗?
  答:是需要定期校驗;若未校正功率有可能會變化;如此將影響電漿的組成

  為何需要對etch chamber溫度做監控?
  答:因為溫度會影響制程條件;如etching rate/均勻度

  為何需要註意dry pump exhaust presure (pump 出口端的氣壓)?
  答:因為氣壓若太大會造成pump 負荷過大;造成pump 跳掉,影響chamber的壓力,直接影響到run貨品質

  為何要做漏率測試? (Leak rate )
  答: (1) 在PM後PUMP Down 1~2小時後;為確保chamber Run 貨時,無大氣進入chamble 影響chamber GAS 成份(2) 在日常測試時,為確保chamber 內來自大氣的泄漏源,故需測漏

  機臺發生Alarm時應如何處理?
  答:(1) 若為火警,立即圧下EMO(緊急按鈕),並滅火且通知相關人員與主管(2) 若是一般異常,請先檢查alarm 訊息再判定異常原因,進而解決問題,若未能處理應立即通知主要負責人

  蝕刻機臺廢氣排放分為那幾類?
  答:一般無毒性廢氣/有毒酸性廢氣排放

  蝕刻機臺使用的電源為多少伏特(v)?
  答:208V 三相

  幹式蝕刻機臺分為那幾個部份?
  答:(1) Load/Unload 端 (2) transfer module (3) Chamber process module (4) 真空系統 (5) GAS system (6) RF system
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回復: 半導體制造、Fab以及Silicon Processing的基本知識

發表 由 lung 于 周四 9月 06, 2012 10:16 am

PHOTO

  PHOTO 流程?
  答:上光阻→曝光→顯影→顯影後檢查→CD量測→Overlay量測

  何為光阻?其功能為何?其分為哪兩種?
  答:Photoresist(光阻).是一種感光的物質,其作用是將Pattern從光罩(Reticle)上傳遞到Wafer上的一種介質。其分為正光阻和負光阻。

  何為正光阻?
  答:正光阻,是光阻的一種,這種光阻的特性是將其曝光之後,感光部分的性質會改變,並在之後的顯影過程中被曝光的部分被去除。
  
  何為負光阻?
  答:負光阻也是光阻的一種類型,將其曝光之後,感光部分的性質被改變,但是這種光阻的特性與正光阻的特性剛好相反,其感光部分在將來的顯影過程中會被留下,而沒有被感光的部分則被顯影過程去除。
  
  什幺是曝光?什幺是顯影?
  答:曝光就是通過光照射光阻,使其感光;顯影就是將曝光完成後的圖形處理,以將圖形清晰的顯現出來的過程。

  何謂 Photo?
  答:Photo=Photolithgraphy,光刻,將圖形從光罩上成象到光阻上的過程。

  Photo主要流程為何?
  答:Photo的流程分為前處理,上光阻,Soft Bake, 曝光,PEB,顯影,Hard Bake等。

  何謂PHOTO區之前處理?
  答:在Wafer上塗布光阻之前,需要先對Wafer表面進行一系列的處理工作,以使光阻能在後面的塗布過程中能夠被更可靠的塗布。前處理主要包括Bake,HDMS等過程。其中通過Bake將Wafer表面吸收的水分去除,然後進行HDMS工作,以使Wafer表面更容易與光阻結合。

  何謂上光阻?
  答:上光阻是為了在Wafer表面得到厚度均勻的光阻薄膜。光阻通過噴嘴(Nozzle)被噴塗在高速旋轉的Wafer表面,並在離心力的作用下被均勻的塗布在Wafer的表面。

  何謂Soft Bake?
  答:上完光阻之後,要進行Soft Bake,其主要目的是通過Soft Bake將光阻中的溶劑蒸發,並控制光阻的敏感度和將來的線寬,同時也將光阻中的殘余內應力釋放。

  何謂曝光?
  答:曝光是將塗布在Wafer表面的光阻感光的過程,同時將光罩上的圖形傳遞到Wafer上的過程。
  何謂PEB(Post Exposure Bake)?

  答:PEB是在曝光結束後對光阻進行控制精密的Bake的過程。其目的在於使被曝光的光阻進行充分的化學反應,以使被曝光的圖形均勻化。

  何謂顯影?
  答:顯影類似於洗照片,是將曝光完成的Wafer進行成象的過程,通過這個過程,成象在光阻上的圖形被顯現出來。

  何謂Hard Bake?
  答:Hard Bake是通過烘烤使顯影完成後殘留在Wafer上的顯影液蒸發,並且固化顯影完成之後的光阻的圖形的過程。

  何為BARC?何為TARC?它們分別的作用是什幺?
  答:BARC=Bottom Anti Reflective Coating, TARC=Top Anti Reflective Coating. BARC是被塗布在光阻下面的一層減少光的反射的物質,TARC則是被塗布在光阻上表面的一層減少光的反射的物質。他們的作用分別是減少曝光過程中光在光阻的上下表面的反射,以使曝光的大部分能量都被光阻吸收。

  何謂 I-line?
  答:曝光過程中用到的光,由Mercury Lamp(汞燈)產生,其波長為365nm,其波長較長,因此曝光完成後圖形的分辨率較差,可應用在次重要的層次。

  何謂 DUV?
  答:曝光過程中用到的光,其波長為248nm,其波長較短,因此曝光完成後的圖形分辨率較好,用於較為重要的制程中。

  I-line與DUV主要不同處為何?
  答:光源不同,波長不同,因此應用的場合也不同。I-Line主要用在較落後的制程(0.35微米以上)或者較先進制程(0.35微米以下)的Non-Critical layer。DUV則用在先進制程的Critical layer上。

  何為Exposure Field?
  答:曝光區域,一次曝光所能覆蓋的區域

  何謂 Stepper? 其功能為何?
  答:一種曝光機,其曝光動作為Step by step形式,一次曝整個exposure field,一個一個曝過去

  何謂 Scanner? 其功能為何?
  答:一種曝光機,其曝光動作為Scanning and step形式, 在一個exposure field曝光時, 先Scan完整個field, Scan完後再移到下一個field.

  何為象差?
  答:代表透鏡成象的能力,越小越好.

  Scanner比Stepper優點為何?
  答:Exposure Field大,象差較小

  曝光最重要的兩個參數是什幺?
  答:Energy(曝光量), Focus(焦距)。如果能量和焦距調整的不好,就不能得到要求的分辨率和要求大小的圖形,主要表現在圖形的CD值超出要求的範圍。因此要求在生產時要時刻維持最佳的能量和焦距,這兩個參數對於不同的產品會有不同。

  何為Reticle?
  答:Reticle也稱為Mask,翻譯做光掩模板或者光罩,曝光過程中的原始圖形的載體,通過曝光過程,這些圖形的信息將被傳遞到芯片上。

  何為Pellicle?
  答:Pellicle是Reticle上為了防止灰塵(dust)或者微塵粒子(Particle)落在光罩的圖形面上的一層保護膜。

  何為OPC光罩?
  答:OPC (Optical Proximity Correction)為了增加曝光圖案的真實性,做了一些修正的光罩,例如,0.18微米以下的Poly, Metal layer就是OPC光罩。

  何為PSM光罩?
  答:PSM (Phase Shift Mask)不同於Cr mask, 利用相位幹涉原理成象,目前大都應用在contact layer以及較小CD的Critical layer(如AA,POLY,METAL1)以增加圖形的分辨率。

  何為CR Mask?
  答:傳統的鉻膜光罩,只是利用光訊0與1幹涉成像,主要應用在較不Critical 的layer

  光罩編號各位代碼都代表什幺?
  答:例如003700-156AA-1DA, 0037代表產品號,00代表Special code,156代表layer,A代表客戶版本,後一個A代表SMIC版本,1代表FAB1,D代表DUV(如果是J,則代表I-line),A代表ASML機臺(如果是C,則代表Canon機臺)

  光罩室同時不能超過多少人在其中?
  答:2人,為了避免產生更多的Particle和靜電而損壞光罩。

  存取光罩的基本原則是什幺?
  答:(1) 光罩盒打開的情況下,不準進出Mask Room,最多只準保持2個人(2) 戴上手套(3) 輕拿輕放

  如何避免靜電破壞Mask?
  答:光罩夾子上連一導線到金屬桌面,可以將產生的靜電導出。

  光罩POD和FOUP能放在一起嗎?它們之間至少應該保持多遠距離?
  答:不能放在一起,之間至少要有30公分的距離,防止搬動FOUP時碰撞光罩Pod而損壞光罩。

  何謂 Track?
  答:Photo制程中一系列步驟的組合,其包括:Wafer的前、後處理,Coating(上光阻),和Develop(顯影)等過程。

  In-line Track機臺有幾個Coater槽,幾個Developer槽?
  答:均為4個

  機臺上亮紅燈的處理流程?
  答:機臺上紅燈亮起的時候表明機臺處於異常狀態,此時已經不能RUN貨,因此應該及時Call E.E進行處理。若EE現在無法立即解決,則將機臺掛DOWN。

  何謂 WEE? 其功能為何?
  答:Wafer Edge Exposure。由於Wafer邊緣的光阻通常會塗布的不均勻,因此一般不能得到較好的圖形,而且有時還會因此造成光阻peeling而影響其它部分的圖形,因此 將Wafer Edge的光阻曝光,進而在顯影的時候將其去除,這樣便可以消除影響。

  何為PEB?其功能為何?
  答:Post Exposure Bake,其功能在於可以得到質量較好的圖形。(消除standing waves)

  PHOTO POLYIMIDE所用的光阻是正光阻還是負光阻
  答:目前正負光阻都有,SMIC FAB內用的為負光阻。

  RUN貨結束後如何判斷是否有wafer被reject?
  答:查看RUN之前lot裏有多少Wafer,再看Run之後lot裏的WAFER是否有少掉,如果有少,則進一步查看機臺是否有Reject記錄。

  何謂 Overlay? 其功能為何?
  答:叠對測量儀。由於集成電路是由很多層電路重叠組成的,因此必須保證每一層與前面或者後面的層的對準精度,如果對準精度超出要求範圍內,則可能造成整個電路不能完成設計的工作。因此在每一層的制作的過程中,要對其與前層的對準精度進行測量,如果測量值超出要求,則必須采取相應措施調整process condition.

  何謂 ADI CD?
  答:Critical Dimension,光罩圖案中最小的線寬。曝光過後,它的圖形也被復制在Wafer上,通常如果這些最小的線寬能夠成功的成象,同時曝光的其它的圖形也能夠成功的成象。因此通常測量CD的值來確定process的條件是否合適。

  何謂 CD-SEM? 其功能為何?
  答:掃描電子顯微鏡。是一種測量用的儀器,通常可以用於測量CD以及觀察圖案。

  PRS的制程目的為何?
  答:PRS (Process Release Standard)通過選擇不同的條件(能量和焦距)對Wafer曝光,以選擇最佳的process condition。

  何為ADI?ADI需檢查的項目有哪些?
  答:After Develop Inspection,曝光和顯影完成之後,通過ADI機臺對所產生的圖形的定性檢查,看其是否正常,其檢查項目包括:Layer ID,Locking Corner,Vernier,Photo Macro Defect

  何為OOC, OOS,OCAP?
  答:OOC=out of control,OOS=Out of Spec,OCAP=out of control action plan

  當需要追貨的時候,是否需要將ETCH沒有下機臺的貨追回來?
  答:需要。因為通常是process出現了異常,而且影響到了一些貨,因此為了減少損失,必須把還沒有ETCH的貨追回來,否則ETCH之後就無法挽回損失。

  PHOTO ADI檢查的SITE是每片幾個點?
  答:5點,Wafer中間一點,周圍四點。
  
  PHOTO OVERLAY檢查的SITE是每片幾個點?
  答:20
  
  PHOTO ADI檢查的片數一般是哪幾片?
  答:#1,#6,#15,#24; 統計隨機的考量

  何謂RTMS,其主要功能是什幺?
  答:RTMS (Reticle Management System) 光罩管理系統用於trace光罩的History,Status,Location,and Information以便於光罩管理

  PHOTO區的主機臺進行PM的周期?
  答:一周一次

  PHOTO區的控片主要有幾種類型
  答:(1) Particle :作為Particle monitor用的芯片,使用前測前需小於10顆(2) Chuck Particle :作為Scanner測試Chuck平坦度的專用芯片,其平坦度要求非常高(3) Focus :作為Scanner Daily monitor best 的wafer(4) CD :做為photo區daily monitor CD穩定度的wafer(5) PR thickness :做為光阻厚度測量的wafer(6) PDM :做為photo defect monitor的wafer

  當TRACK剛顯示光阻用完時,其實機臺中還有光阻嗎?
  答:有少量光阻

  當TRACK剛顯示光阻用完時,其實機臺中還有光阻嗎?
  答:有少量光阻

  WAFER SORTER有讀WAFER刻號的功能嗎?
  答:有

  光刻部的主要機臺是什幺? 它們的作用是什幺?
  答:光刻部的主要機臺是: TRACK(塗膠顯影機), Sanner(掃描曝光機)

  為什幺說光刻技術最象日常生活中的照相技術
  答:Track 把光刻膠塗附到芯片上就等同於底片,而曝光機就是一臺最高級的照相機. 光罩上的電路圖形就是"人物". 通過對準,對焦,打開快門, 讓一定量的光照過光罩, 其圖像呈現在芯片的光刻膠上, 曝光後的芯片被送回Track 的顯影槽, 被顯影液浸泡, 曝光的光刻膠被洗掉, 圖形就顯現出來了.

  光刻技術的英文是什幺
  答:Photo Lithography

  常聽說的.18 或點13 技術是指什幺?
  答:它是指某個產品,它的最小"CD" 的大小為0.18um or 0.13um. 越小集成度可以越高, 每個芯片上可做的芯片數量越多, 難度也越大.它是代表工藝水平的重要參數.

  從點18工藝到點13 工藝到點零9. 難度在哪裏?
  答:難度在光刻部, 因為圖形越來越小, 曝光機分辨率有限.

  曝光機的NA 是什幺?
  答:NA是曝光機的透鏡的數值孔徑;是光罩對透鏡張開的角度的正玹值. 最大是1; 先進的曝光機的NA 在0.5 ---0.85之間.

  曝光機分辨率是由哪些參數決定的?
  答:分辨率=k1*Lamda/NA. Lamda是用於曝光的光波長;NA是曝光機的透鏡的數值孔徑; k1是標誌工藝水準的參數, 通常在0.4--0.7之間.

  如何提高曝光機的分辨率呢?
  答:減短曝光的光波長, 選擇新的光源; 把透鏡做大,提高NA.

  現在的生產線上, 曝光機的光源有幾種, 波長多少?
  答:有三種: 高壓汞燈光譜中的365nm 譜線, 我們也稱其為I-line; KrF 激光器, 產生248 nm 的光; ArF 激光器, 產生193 nm 的光;

  下一代曝光機光源是什幺?
  答:F2 激光器. 波長157nm

  我們可否一直把波長縮短,以提高分辨率? 困難在哪裏?
  答:不可以. 困難在透鏡材料. 能透過157nm 的材料是CaF2, 其晶體很難生長. 還未發現能透過更短波長的材料.

  為什幺光刻區采用黃光照明?
  答:因為白光中包含365nm成份會使光阻曝光,所以采用黃光; 就象洗像的暗房采用暗紅光照明.

  什幺是SEM
  答:掃描電子顯微鏡(Scan Electronic Microscope)光刻部常用的也稱道CD SEM. 用它來測量CD

  如何做Overlay 測量呢?
  答:芯片(Wafer)被送進Overlay 機臺中. 先確定Wafer的位置從而找到Overlay MARK. 這個MARK 是一個方塊 IN 方塊的結構.大方塊是前層, 小方塊是當層;通過小方塊是否在大方塊中心來確定Overlay的好壞.

  生產線上最貴的機器是什幺
  答:曝光機;5-15 百萬美金/臺

  曝光機貴在哪裏?
  答:曝光機貴在它的光學成像系統 (它的成像系統由15 到20 個直徑在200 300MM 的透鏡組成.波面相位差只有最好象機的5%. 它有精密的定位系統(使用激光工作臺)

  激光工作臺的定位精度有多高?
  答:現用的曝光機的激光工作臺定位的重復精度小於10nm

  曝光機是如何保證Overlay<50nm
  答:曝光機要保證每層的圖形之間對準精度<50nm. 它首先要有一個精準的激光工作臺, 它把wafer移動到準確的位置. 再就是成像系統,它帶來的圖像變形<35nm.

  在WAFER 上, 什幺叫一個Field?
  答:光罩上圖形成象在WAFER上, 最大只有26X33mm一塊(這一塊就叫一個Field),激光工作臺把WAFER 移動一個Field的位置,再曝一次光,再移動再曝光。 直到覆蓋整片WAFER。 所以,一片WAFER 上有約100左右Field.

  什幺叫一個Die?
  答:一個Die也叫一個Chip;它是一個功能完整的芯片。 一個Field可包含多個Die;

  為什幺曝光機的綽號是“印鈔機”
  答:曝光機 很貴;一天的折舊有3萬-9萬人民幣之多;所以必須充份利用它的產能,它一天可產出1600片WAFER。

  Track和Scanner內主要使用什幺手段傳遞Wafer:
  答:機器人手臂(robot), Scanner 的ROBOT 有真空(VACCUM)來吸住WAFER. TRACK的ROBOT 設計獨特, 用邊緣HOLD WAFER.
  
  可否用肉眼直接觀察測量Scanner曝光光源輸出的光
  答:絕對禁止;強光對眼睛會有傷害

  為什幺黃光區內只有Scanner應用Foundation(底座)
  答:Scanner曝光對穩定性有極高要求(減震)

  近代光刻技術分哪幾個階段?
  答:從80’S 至今可分4階段:它是由曝光光源波長劃分的;高壓水銀燈的G-line(438nm), I-line(365nm); excimer laser KrF(248nm), ArF laser(193nm)

  I-line scanner 的工作範圍是多少?
  答:CD >0.35um 以上的圖層(LAYER)

  KrF scanner 的工作範圍是多少?
  答:CD >0.13um 以上的圖層(LAYER)

  ArF scanner 的工作範圍是多少?
  答:CD >0.08um 以上的圖層(LAYER)

  什幺是DUV SCANNER
  答:DUV SCANNER 是 指所用光源為Deep Ultra Voliet, 超紫外線.即現用的248nm,193nm Scanner

  Scanner在曝光中可以達到精確度宏觀理解:
  答:Scanner 是一個集機,光,電為一體的高精密機器;為控制iverlay<40nm,在曝光過程中,光罩和Wafer的運動要保持很高的同步性.在250nm/秒的掃描曝光時,兩者同步位置<10nm.相當於兩架時速1000公裏/小時的波音747飛機前後飛行,相距小於10微米

  光罩的結構如何?
  答:光罩是一塊石英玻璃,它的一面鍍有一層鉻膜(不透光).在制造光罩時,用電子束或激光在鉻膜上寫上電路圖形(把部分鉻膜刻掉,透光).在距鉻膜5mm 的地方覆蓋一極薄的透明膜(叫pellicle),保護鉻膜不受外界汙染.
  
  在超凈室(cleanroom)為什幺不能攜帶普通紙
  答:普通紙張是由大量短纖維壓制而成,磨擦或撕割都會產生大量微小塵埃(particle).進cleanroom 要帶專用的Cleanroom Paper.

  如何做CD 測量呢?
  答:芯片(Wafer)被送進CD SEM 中. 電子束掃過光阻圖形(Pattern).有光阻的地方和無光阻的地方產生的二次電子數量不同; 處理此信號可的圖像.對圖像進行測量得CD.

  什幺是DOF
  答:DOF 也叫Depth Of Focus, 與照相中所說的景深相似. 光罩上圖形會在透鏡的另一側的某個平面成像, 我們稱之為像平面(Image Plan), 只有將像平面與光阻平面重合(In Focus)才能印出清晰圖形. 當離開一段距離後, 圖像模糊. 這一可清晰成像的距離叫DOF

  曝光顯影後產生的光阻圖形(Pattern)的作用是什幺?
  答:曝光顯影後產生的光阻圖形有兩個作用:一是作刻蝕的模板,未蓋有光阻的地方與刻蝕氣體反應,被吃掉.去除光阻後,就會有電路圖形留在芯片上.另一作用是充當例子註入的模板.

  光阻種類有多少?
  答:光阻種類有很多.可根據它所適用的曝光波長分為I-line光阻,KrF光阻和ArF光阻

  光阻層的厚度大約為多少?
  答:光阻層的厚度與光阻種類有關.I-line光阻最厚,0.7um to 3um. KrF光阻0.4-0.9um. ArF光阻0.2-0.5um.

  哪些因素影響光阻厚度?
  答:光阻厚度與芯片(WAFER)的旋轉速度有關,越快越薄,與光阻粘稠度有關.

  哪些因素影響光阻厚度的均勻度?
  答:光阻厚度均勻度與芯片(WAFER)的旋轉加速度有關,越快越均勻,與旋轉加減速的時間點有關.

  當顯影液或光阻不慎濺入眼睛中如何處理
  答:大量清水沖洗眼睛,並查閱顯影液的CSDS(Chemical Safety Data Sheet),把它提供給醫生,以協助治療
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發表 由 lung 于 周四 9月 06, 2012 10:17 am

FAC

  根據工藝需求排氣分幾個系統?
  答:分為一般排氣(General)、酸性排氣(Scrubbers)、堿性排氣(Ammonia)和有機排氣(Solvent) 四個系統。

  高架 地板分有孔和無孔作用?
  答:使循環空氣能流通 ,不起塵,保證潔凈房內的潔凈度; 防靜電;便於HOOK-UP。

  離子發射系統作用
  答:離子發射系統,防止靜電

  SMIC潔凈等級區域劃分
  答:Mask Shop class 1 & 100Fab1 & Fab2 Photo and process area: Class 100Cu-line Al-Line OS1 L3 OS1 L4 testing Class 1000

  什幺是制程工藝真空系統(PV)
  答:是提供廠區無塵室生產及測試機臺在制造過程中所需的工藝真空;如真空吸筆、光阻液塗布、吸芯片用真空源等。該系統提供一定的真空壓力(真空度大於 80 kpa)和流量,每天24小時運行

  什幺是MAU(Make Up Air Unit),新風空調機組作用
  答:提供潔凈室所需之新風,對新風濕度,溫度,及潔凈度進行控制,維持潔凈室正壓和濕度要求。

  House Vacuum System 作用
  答:HV(House Vacuum)系統提供潔凈室制程區及回風區清潔吸取微塵粒子之真空源,其真空度較低。使用方法為利用軟管連接事先已安裝在高架地板下或柱子內的真空吸孔,打開運轉電源。此系統之運用可減低清潔時的汙染。

  Filter Fan Unit System(FFU)作用
  答:FFU系統保證潔凈室內一定的風速和潔凈度,由Fan和Filter(ULPA)組成。

  什幺是Clean Room 潔凈室系統
  答:潔凈室系統供應給制程及機臺設備所需之潔凈度、溫度、濕度、正壓、氣流條件等環境要求。

  Clean room spec:標準
  答:Temperature 23 °C ± 1°C(Photo:23 °C ± 0.5°C)Humidity 45%± 5%(Photo:45%± 3% )Class 100Overpressure +15paAir velocity 0.4m/s ± 0.08m/s

  Fab 內的safety shower的日常維護及使用監督由誰來負責
  答:Fab 內的 Area Owner(若出現無水或大量漏水等可請廠務水課(19105)協助)

  工程師在正常跑貨用純水做rinse或做機臺維護時,要註意不能有酸或有機溶劑(如IPA等)進入純水回收系統中,這是因為:
  答:酸會導致conductivity(導電率)升高,有機溶劑會導致TOC升高。兩者均會影響並降低純水回收率。

  若在Fab 內發現地面有水滴或殘留水等,應如何處理或通報
  答:先檢查是否為機臺漏水或做PM所致,若為廠務系統則通知廠務中控室(12222)

  機臺若因做PM或其它異常,而要大量排放廢溶劑或廢酸等應首先如何通報
  答:通知廠務主系統水課的值班(19105)

  廢水排放管路中酸堿廢水/濃硫酸/廢溶劑等使用何種材質的管路?
  答:酸堿廢水/高密度聚乙烯(HDPE)濃硫酸/鋼管內襯鐵福龍(CS-PTFE)廢溶劑/不琇鋼管(SUS)

  若機臺內的drain管有接錯或排放成分分類有誤,將會導致後端的主系統出現什幺問題?
  答:將會導致後端處理的主系統相關指標處理不合格,從而可能導致公司排放口超標排放的事故。

  公司做水回收的意義如何?
  答:(1) 節約用水,降低成本。重在環保。 (2) 符合ISO可持續發展的精神和公司環境保護暨安全衛生政策。

  何種氣體歸類為特氣(Specialty Gas)?
  答:SiH2Cl2

  何種氣體由VMB Stick點供到機臺?
  答:H2

  何種氣體有自燃性?
  答:SiH4

  何種氣體具有腐蝕性?
  答:ClF3

  當機臺用到何種氣體時,須安裝氣體偵測器?
  答:PH3

  名詞解釋 GC, VMB, VMP
  答:GC- Gas Cabinet 氣瓶櫃VMB- Valve Manifold Box 閥箱,適用於危險性氣體。VMP- Valve Manifold Panel 閥件盤面,適用於惰性氣體。

  標準大氣環境中氧氣濃度為多少?工作環靜氧氣濃度低於多少時人體會感覺不適?
  答:21%19%

  什幺是氣體的 LEL? H2的LEL 為多少?
  答:LEL- Low Explosive Level 氣體爆炸下限H2 LEL- 4%.

  當FAB內氣體發生泄漏二級警報(既Leak HiHi),氣體警報燈(LAU)會如何動作?FAB內工作人員應如何應變?
  答:LAU紅、黃燈閃爍、蜂鳴器叫聽從ERC廣播命令,立刻疏散。

  化學供應系統中的化學物質特性為何?
  答:(1) Acid/Caustic 酸性/腐蝕性(2) Solvent有機溶劑(3) Slurry研磨液

  有機溶劑櫃的安用保護裝置為何?
  答:(1) Gas/Temp. detector;氣體/溫度偵測器(2) CO2 extinguisher;二氧化碳滅火器

  中芯有那幾類研磨液(slurry)系統?
  答:(1) Oxide (SiO2) (2) Tungsten (W)鵭

  設備機臺總電源是幾伏特?
  答:208V OR 380V

  欲從事生產/測試/維護時,如無法就近取得電源供給,可以無限制使用延長線嗎?
  答:不可以

  如何選用電器器材?
  答:使用電器器材需采用通過認證之正規品牌

  機臺開關可以任意分/合嗎?
  答:未經確認不可隨意分/合任何機臺開關,以免造成生產損失及人員傷害.

  欲從事生產/測試/維護時,如無法就近取得電源供給,也不能無限制使用延長線,對嗎?
  答:對

  假設斷路器啟斷容量為16安培導線線徑2.5mm2,電源供應電壓單相220伏特,若使用單相5000W電器設備會產生何種情況?
  答:斷路器跳閘

  當供電局供電中斷時,人員仍可安心待在FAB中嗎?
  答:當供電局供電中斷時,本廠因有緊急發電機設備,配合各相關監視系統,仍然能保持FAB之Safety,所以人員仍可安心待在FAB中.
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發表 由 lung 于 周二 6月 24, 2014 12:33 pm

WET

  在半導體程制中,濕制程(wet processing)分那二大頪?
  答:(1) 晶圓洗凈(wafer cleaning) (2) 濕蝕刻(wet etching).

  晶圓洗凈(wafer cleaning)的設備有那幾種?
  答:(1) Batch type(immersion type): a) carrier type b)Cassetteless type (2) Single wafer type(spray type)

  晶圓洗凈(wafer cleaning)的目的為何?
  答:去除金屬雜質,有機物汙染及微塵.

  半導體制程有那些汙染源?
  答:(1) 微粒子(2) 金屬(3) 有機物(4) 微粗糙(5) 天生的氧化物

  RCA清洗制程目的為何?
  答:於微影照像後,去除光阻,清洗晶圓,並做到酸堿中和,使晶圓可進行下一個制程.

  洗凈溶液 APM(SC-1)--> NH4OH:H2O2:H2O的目的為何?
  答:去除微粒子及有機物

  洗凈溶液 SPM--> H2SO4:H2O2:H2O的目的為何?
  答:去除有機物

  洗凈溶液 HPM(SC-2)--> HCL:H2O2:H2O的目的為何?
  答:去除金屬

  洗凈溶液 DHF--> HF:H2O(1:100~1:500)的目的為何?
  答:去除自然氧化膜及金屬

  洗凈溶液 FPM--> HF:H2O2:H2O的目的為何?
  答:去除自然氧化膜及金屬

  洗凈溶液 BHF(BOE)--> HF:NH4F的目的為何?
  答:氧化膜濕式蝕刻

  洗凈溶液 熱磷酸--> H3PO4的目的為何?
  答:氮化膜濕式蝕刻

  0.25微米邏輯組件有那五種標準清洗方法?
  答:(1) 擴散前清洗(2) 蝕刻後清洗(3) 植入後清洗(4) 沈積前洗清 (5) CMP後清洗

  超音波刷洗(ultrasonic scrubbing)目的為何?
  答:去除不溶性的微粒子汙染

  何謂晶圓盒(POD)清洗?
  答:利用去離子水和界面活性劑(surfactant),除去晶圓盒表面的汙染.

  高壓噴灑(high pressure spray)或刷洗去微粒子在那些制程之後?
  答:(1) 鋸晶圓(wafer saw) (2) 晶圓磨薄(wafer lapping) (3) 晶圓拋光(wafer polishing) (4) 化學機械研磨

  晶圓濕洗凈設備有那幾種?
  答:(1) 多槽全自動洗凈設備 (2) 單槽清洗設備 (3) 單晶圓清洗設備.

  單槽清洗設備的優點?
  答:(1) 較佳的環境制程與微粒控制能力. (2) 化學品與純水用量少. (3) 設備調整彈性度高.

  單槽清洗設備的缺點?
  答:(1) 產能較低. (2) 晶圓間仍有互相汙染

  單晶圓清洗設備未來有那些須要突破的地方?
  答:產能低與設備成熟度  
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發表 由 lung 于 周二 6月 24, 2014 12:34 pm

  1 Active Area 主動區(工作區) 主動晶體管(ACTIVE TRANSISTOR)被制造的區域即所謂的主動區(ACTIVE AREA)。在標準之MOS制造過程中ACTIVE AREA是由一層氮化矽光罩即等接氮化矽蝕刻之後的局部場區氧化所形成的,而由於利用到局部場氧化之步驟,所以ACTIVE AREA會受到鳥嘴(BIRD’S BEAK)之影響而比原先之氮化矽光罩所定義的區域來的小,以長0.6UM之場區氧化而言,大概會有0.5UM之BIRD’S BEAK存在,也就是說ACTIVE AREA比原在之氮化矽光罩所定義的區域小0.5UM。

  2 ACTONE 丙酮 1. 丙酮是有機溶劑的一種,分子式為CH3COCH3。2. 性質為無色,具刺激性及薄荷臭味之液體。3. 在FAB內之用途,主要在於黃光室內正光阻之清洗、擦拭。4. 對神經中樞具中度麻醉性,對皮膚黏膜具輕微毒性,長期接觸會引起皮膚炎,吸入過量之丙酮蒸汽會刺激鼻、眼結膜及咽喉黏膜,甚至引起頭痛、惡心、嘔吐、目眩、意識不明等。5. 允許濃度1000PPM。

  3 ADI 顯影後檢查 1.定義:After Developing Inspection 之縮寫2.目的:檢查黃光室制程;光阻覆蓋→對準→曝光→顯影。發現缺點後,如覆蓋不良、顯影不良…等即予修改,以維護產品良率、品質。3.方法:利用目檢、顯微鏡為之。

  4 AEI 蝕刻後檢查 1. 定義:AEI即After Etching Inspection,在蝕刻制程光阻去除前及光阻去除後,分別對產品實施全檢或抽樣檢查。2.目的:2-1提高產品良率,避免不良品外流。2-2達到品質的一致性和制程之重復性。2-3顯示制程能力之指針2-4阻止異常擴大,節省成本3.通常AEI檢查出來之不良品,非必要時很少作修改,因為重去氧化層或重長氧化層可能造成組件特性改變可靠性變差、缺點密度增加,生產成本增高,以及良率降低之缺點。

  5 AIR SHOWER 空氣洗塵室 進入潔凈室之前,需穿無塵衣,因在外面更衣室之故,無塵衣上沾著塵埃,故進潔凈室之前,需經空氣噴洗機將塵埃吹掉。

  6 ALIGNMENT 對準 1. 定義:利用芯片上的對準鍵,一般用十字鍵和光罩上的對準鍵合對為之。2. 目的:在IC的制造過程中,必須經過6~10次左右的對準、曝光來定義電路圖案,對準就是要將層層圖案精確地定義顯像在芯片上面。3. 方法:A.人眼對準B.用光、電組合代替人眼,即機械式對準。

  7 ALLOY/SINTER 熔合 Alloy之目的在使鋁與矽基(Silicon Substrate)之接觸有Ohmic特性,即電壓與電流成線性關系。Alloy也可降低接觸的阻值。

  8 AL/SI 鋁/矽 靶 此為金屬濺鍍時所使用的一種金屬合金材料利用Ar遊離的離子,讓其撞擊此靶的表面,把Al/Si的原子撞擊出來,而鍍在芯片表面上,一般使用之組成為Al/Si (1%),將此當作組件與外界導線連接。

  9 AL/SI/CU 鋁/矽 /銅 金屬濺鍍時所使用的原料名稱,通常是稱為TARGET,其成分為0.5﹪銅,1﹪矽及98.5﹪鋁,一般制程通常是使用99﹪鋁1﹪矽,後來為了金屬電荷遷移現象(ELEC TROMIGRATION)故滲加0.5﹪銅,以降低金屬電荷遷移。

  10 ALUMINUN 鋁 此為金屬濺鍍時所使用的一種金屬材料,利用Ar遊離的離子,讓其撞擊此種材料做成的靶表面,把Al的原子撞擊出來,而鍍在芯片表面上,將此當作組件與外界導線之連接。

  11 ANGLE LAPPING 角度研磨 Angle Lapping 的目的是為了測量Junction的深度,所作的芯片前處理,這種采用光線幹涉測量的方法就稱之Angle Lapping。公式為Xj=λ/2 NF即Junction深度等於入射光波長的一半與幹涉條紋數之乘積。但漸漸的隨著VLSI組件的縮小,準確度及精密度都無法因應。如SRP(Spreading Resistance Prqbing)也是應用Angle Lapping的方法作前處理,采用的方法是以表面植入濃度與阻值的對應關系求出Junction的深度,精確度遠超過入射光幹涉法。

  12 ANGSTRON 埃 是一個長度單位,其大小為1公尺的百億分之一,約為人的頭發寬度之五十萬分之一。此單位常用於IC制程上,表示其層(如SiO2,Poly,SiN….)厚度時用。

  13 APCVD(ATMOSPRESSURE) 常壓化學氣相沈積 APCVD為Atmosphere(大氣),Pressure(壓力),Chemical(化學),Vapor(氣相)及Deposition(沈積)的縮寫,也就是說,反應氣體(如SiH4(g),B2H6(g),和O2(g))在常壓下起化學反應而生成一層固態的生成物(如BPSG)於芯片上。

  14 AS75 砷 自然界元素之一;由33個質子,42個中子即75個電子所組成。半導體工業用的砷離子(As+)可由AsH3氣體分解得到。砷是N-TYPE DOPANT 常用作N-場區、空乏區及S/D植入。

  15 ASHING,STRIPPING 電漿光阻去除 1. 電漿預處理,系利用電漿方式(Plasma),將芯片表面之光阻加以去除。2. 電漿光阻去除的原理,系利用氧氣在電漿中所產生只自由基(Radical)與光阻(高分子的有機物)發生作用,產生揮發性的氣體,再由幫浦抽走,達到光阻去除的目的。3. 電漿光組的產生速率通常較酸液光阻去除為慢,但是若產品經過離子植入或電漿蝕刻後,表面之光阻或發生碳化或石墨化等化學作用,整個表面之光阻均已變質,若以硫酸吃光阻,無法將表面已變質之光阻加以去除,故均必須先以電漿光阻去除之方式來做。

  16 ASSEMBLY 晶粒封裝 以樹酯或陶瓷材料,將晶粒包在其中,以達到保護晶粒,隔絕環境汙染的目的,而此一連串的加工過程,即稱為晶粒封裝(Assembly)。封裝的材料不同,其封裝的作法亦不同,本公司幾乎都是以樹酯材料作晶粒的封裝,制程包括:芯片切割→晶粒目檢→晶粒上「架」(導線架,即Lead frame)→焊線→模壓封裝→穩定烘烤(使樹酯物性穩定)→切框、彎腳成型→腳沾錫→蓋印→完成。以樹酯為材料之IC,通常用於消費性產品,如計算機、計算器,而以陶瓷作封裝材料之IC,屬於高性賴度之組件,通常用於飛彈、火箭等較精密的產品上。

  17 BACK GRINDING 晶背研磨 利用研磨機將芯片背面磨薄以便測試包裝,著重的是厚度均勻度及背面之幹凈度。一般6吋芯片之厚度約20mil~30 mil左右,為了便於晶粒封裝打線,故需將芯片厚度磨薄至10 mil ~15mil左右。

  18 BAKE, SOFT BAKE,HARD BAKE 烘烤,軟烤,預烤 烘烤(Bake):在集成電路芯片上的制造過程中,將芯片至於稍高溫(60℃~250℃)的烘箱內或熱板上均可謂之烘烤,隨其目的的不同,可區分微軟烤(Soft bake)與預烤(Hard bake)。軟烤(Soft bake):其使用時機是在上完光阻後,主要目的是為了將光阻中的溶劑蒸發去除,並且可增加光阻與芯片之附著力。預烤(Hard bake):又稱為蝕刻前烘烤(pre-etch bake),主要目的為去除水氣,增加光阻附著性,尤其在濕蝕刻(wet etching)更為重要,預烤不全長會造成過蝕刻。

  19 BF2 二氟化硼 ·一種供做離子植入用之離子。·BF2 +是由BF3 +氣體晶燈絲加熱分解成:B10、B11、F19、B10F2、B11F2 。經Extract拉出及質譜磁場分析後而得到。·是一種P-type 離子,通常用作VT植入(閘層)及S/D植入。

  20 BOAT 晶舟 Boat原意是單木舟,在半導體IC制造過程中,常需要用一種工具作芯片傳送、清洗及加工,這種承載芯片的工具,我們稱之為Boat。一般Boat有兩種材質,一是石英、另一是鐵氟龍。石英Boat用在溫度較高(大於300℃)的場合。而鐵氟龍Boat則用在傳送或酸處理的場合。

  21 B.O.E 緩沖蝕刻液 BOE是HF與NH4F依不同比例混合而成。6:1 BOE蝕刻即表示HF:NH4F=1:6的成分混合而成。HF為主要的蝕刻液,NH4F則作為緩沖劑使用。利用NH4F固定〔H+〕的濃度,使之保持一定的蝕刻率。HF會浸蝕玻璃及任何含矽石的物質,對皮膚有強烈的腐蝕性,不小心被濺到,應用大量水沖洗。

  22 BONDING PAD 焊墊 焊墊-晶利用以連接金線或鋁線的金屬層。在晶粒封裝(Assembly)的制程中,有一個步驟是作“焊線”,即是用金線(塑料包裝體)或鋁線(陶瓷包裝體)將晶粒的線路與包裝體之各個接腳依焊線圖(Bonding Diagram)連接在一起,如此一來,晶粒的功能才能有效地應用。由於晶粒上的金屬線路的寬度即間隙都非常窄小,(目前SIMC所致的產品約是微米左右的線寬或間隙),而用來連接用的金線或鋁線其線徑目前由於受到材料的延展性即對金屬接線強度要求的限制,祇能做到1.0~1.3mil(25.4~33j微米)左右,在此情況下,要把二、三十微米的金屬線直接連接到金屬線路間距只有3微米的晶粒上,一定會造成多條鋁線的接橋,故晶粒上的鋁路,在其末端皆設計成一個約4mil見方的金屬層,此即為焊墊,以作為接線使用。焊墊通常分布再晶粒之四個外圍上(以粒封裝時的焊線作業),其形狀多為正方形,亦有人將第一焊線點作成圓形,以資辨識。焊墊因為要作接線,其上得護層必須蝕刻掉,故可在焊墊上清楚地看到“開窗線”。而晶粒上有時亦可看到大塊的金屬層,位於晶粒內部而非四周,其上也看不到開窗線,是為電容。

  23 BORON 硼 自然元素之一。由五個質子及六個中子所組成。所以原子量是11。另外有同位素,是由五個質子及五個中子所組成原子量是10(B10)。自然界中這兩種同位素之比例是4:1,可由磁場質譜分析中看出,是一種P-type的離子(B 11+),用來作場區、井區、VT及S/D植入。

  24 BPSG 含硼及磷的矽化物 BPSG乃介於Poly之上、Metal之下,可做為上下兩層絕緣之用,加硼、磷主要目的在使回流後的Step較平緩,以防止Metal line濺鍍上去後,造成斷線。

  25 BREAKDOWN VOLTAGE 崩潰電壓 反向P-N接面組件所加之電壓為P接負而N接正,如為此種接法則當所加電壓通在某個特定值以下時反向電流很小,而當所加電壓值大於此特定值後,反向電流會急遽增加,此特定值也就是吾人所謂的崩潰電壓(BREAKDOWN VOLTAGE)一般吾人所定義反向P+ - N接面之反向電流為1UA時之電壓為崩潰電壓,在P+ - N或 N+-P之接回組件中崩潰電壓,隨著N(或者P)之濃度之增加而減小。

  26 BURN IN 預燒試驗 「預燒」(Burn in)為可靠性測試的一種,旨在檢驗出哪些在使用初期即損壞的產品,而在出貨前予以剔除。預燒試驗的作法,乃是將組件(產品)至於高溫的環境下,加上指定的正向或反向的直流電壓,如此殘留在晶粒上氧化層與金屬層之外來雜質離子或腐蝕性離子將容易遊離而使故障模式(Failure Mode)提早顯現出來,達到篩選、剔除「早期夭折」產品之目的。預燒試驗分為「靜態預燒」(Static Burn in)與「動態預燒」(Dynamic Burn in)兩種,前者在試驗時,只在組件上加上額定的工作電壓即消耗額定的功率,而後者除此外並有仿真實際工作情況的訊號輸入,故較接近實際狀況,也較嚴格。基本上,每一批產品在出貨前,皆須作百分之百的預燒試驗,馾由於成本及交貨其等因素,有些產品舊祇作抽樣(部分)的預燒試驗,通過後才出貨。另外對於一些我們認為它品質夠穩定且夠水準的產品,亦可以抽樣的方式進行,當然,具有高信賴度的產品,皆須通過百分之百的預燒試驗。

  27 CAD 計算機輔助設計 CAD:Computer Aided Design計算機輔助設計,此名詞所包含的範圍很廣,可泛稱一切計算機為工具,所進行之設計;因此不僅在IC設計上用得到,建築上之設計,飛機、船體之設計,都可能用到。在以往計算機尚未廣泛應用時,設計者必須以有限之記憶、經驗來進行設計,可是有了所謂CAD後,我們把一些常用之規則、經驗存入計算機後,後面的設計者,變可節省不少從頭摸索的工作,如此不僅大幅地提高了設計的準確度,使設計的領域進入另一新天地。

  28 CD MEASUREMENT 微距測試 CD: Critical Dimension之簡稱。通常於某一個層次中,為了控制其最小線距,我們會制作一些代表性之量測圖形於晶方中,通常置於晶方之邊緣。簡言之,微距測量長當作一個重要之制程指針,可代表黃光制程之控制好壞。量測CD之層次通常是對線距控制較重要之層次,如氮化矽、POLY、CONT、MET…等,而目前較常用於測量之圖形有品字型,L-BAR等。

  29 CH3COOH 醋酸 ACETIC ACID 醋酸澄清、無色液體、有刺激性氣味、熔點16.63℃、沸點118℃。與水、酒精、乙醚互溶。可燃。冰醋酸是99.8﹪以上之純化物,有別於水容易的醋酸食入或吸入純醋酸有中等的毒性,對皮膚及組織有刺激性,危害性不大,被濺到用水沖洗。

  30 CHAMBER 真空室,反應室 專指一密閉的空間,常有特殊的用途:諸如抽真空、氣體反應或金屬濺度等。針對此特殊空間之種種外在或內在環境:例如外在粒子數(particle)、濕度及內在溫度、壓力、氣體流量、粒子數等加以控制。達到芯片最佳反應條件。

  31 CHANNEL 信道 當在MOS晶體管的閘極上加上電壓(PMOS為負,NMOS為正),則閘極下的電子或電洞會被其電場所吸引或排斥而使閘極下之區域形成一反轉層(Inversion Layer),也就是其下之半導體P-type變成N-type Si,N-type變成P-type Si,而與源極和汲極,我們舊稱此反轉層為“信道”。信道的長度“Channel Length”對MOS組件的參數有著極重要的影響,故我們對POLY CD的控制需要非常謹慎。

  32 CHIP ,DIE 晶粒 一片芯片(OR晶圓,即Wafer)上有許多相同的方形小單位,這些小單位及稱為晶粒。同一芯片上每個晶粒都是相同的構造,具有相同的功能,每個晶粒經包裝後,可制成一顆顆我們日常生活中常見的IC,故每一芯片所能制造出的IC數量是很可觀的,從幾百個到幾千個不等。同樣地,如果因制造的疏忽而產生的缺點,往往就會波及成百成千個產品。

  33 CLT(CARRIER LIFE TIME) 截子生命周期 一、 定義少數戴子再溫度平均時電子被束縛在原子格內,當外加能量時,電子獲得能量,脫離原子格束縛,形成自由狀態而參與電流島通的的工作,但能量消失後,這些電子/電洞將因在結合因素回復至平衡狀態,因子當這些載子由被激發後回復平衡期間,稱之為少數載子“LIFE TIME“二、 應用範圍1.評估盧管和清洗槽的幹凈度2.針對芯片之清潔度及損傷程度對CLT值有影響為A.芯片中離子汙染濃度及汙染之金屬種類B.芯片中結晶缺陷濃度

  34 CMOS 互補式金氧半導體 金屬氧化膜半導體(MOS,METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR)其制程程序及先在單晶矽上形成絕緣氧化膜,再沈積一層復晶矽(或金屬)作為閘極,利用家到閘極的電場來控制MOS組件的開關(導電或不導電)。按照導電載子的種類,MOS,又可分成兩種類型:NMOS(由電子導電)和PMOS(由電洞導電)。而互補式金氧半導體(CMOSCOMPLEMENTARY MOS)則是由NMOS及PMOS組合而成,具有省電、抗噪聲能力強、α-PARTICLE免疫力好等許多優點,是超大規模集成電路(VLSI)的主流。

  35 COATING 光阻覆蓋 將光阻劑以浸泡、噴霧、刷怖、或滾壓等方法加於芯片上,稱為光阻覆蓋。目前效果最佳的方法為旋轉法;旋轉法乃是將芯片以真空吸附於一個可旋轉的芯片支持器上,適量的光阻劑加在芯片中央,然後芯片開始轉動,芯片上的光阻劑向外流開,很均勻的散在芯片上。要得到均勻的光阻膜,旋轉速度必須適中穩定。而旋轉速度和光阻劑黏滯性絕應所鍍光阻劑的厚度。光阻劑加上後,必須經過軟烤的步驟,以除去光阻劑中過多的溶劑,進而使光阻膜較為堅硬,同時增加光阻膜與芯片的接合能力的主要方法就是在於適當調整軟烤溫度與時間。經過了以上的鍍光阻膜即軟烤過程,也就是完成了整個光阻覆蓋的步驟。

  36 CROSS SECTION 橫截面 IC的制造基本上是由一層一層的圖案堆積上去,而為了了解堆積圖案的構造,以改善制程或解決制程問題,經常會利用破壞性切割方式以電子顯微鏡(SEM)來觀察,而切割橫截面、觀察橫截面的方式是其中較為普遍之一種。

  37 C-V PLOT 電容,電壓圓 譯意為電容、電壓圖:也就是說當組件在不同狀況下,在閘極上施以某一電壓時,會產生不同之電容值(此電壓可為正或負),如此組件為理想的組件;也就是閘極和汲極間幾乎沒有雜質在裏面(COMTAMINATION)。當外界環境改變時(溫度或壓力),並不太會影響它的電容值,利用此可MONITOR MOS 組件之好壞,一般△V<0.2為正常。

  38 CWQC 全公司品質管制 以往有些經營者或老板,一直都認為品質管制是品管部門或品管主管的責任,遇到品質管制做不好時,即立即指責品質主管,這是不對的。品質管制不是品質部門或某一單位就可以做好的,而是全公司每一部門全體人員都參與才能做好。固品質管制為達到經營的目的,必須結合公司內所有部門全體人員協力合作,構成一個能共同認識,亦於實施的體系,並使工作標準化,且使所定的各種事項確實實行,使自市場調查、研究、開發、設計、采購、制造、檢查、試驗、出貨、銷售、服務為止的每一階段的品質都能有效的管理,這就是所謂的全公司品質管制(Company Wide Quality Control)。實施CWQC的目的最主要的就是要改善企業體質;即發覺問題的體質、重視計劃的體質、重點指向的體質、重視過程的體質,以及全員有體系導向的體質。

  39 CYCLE TIME 生產周期時間 指原料由投入生產線到產品於生產線產生所需之生產/制造時間。在TI-ACER,生產周期有兩種解釋:一為“芯片產出周期時間”(WAFER-OUT CYCLE TIME ),一為“制程周期時間”(PROCESS CYCLE TIME)“芯片產出周期時間”乃指單一批號之芯片由投入到產出所需之生產/制造時間。“制程周期時間”則指所有芯片於單一工站平均生產/制造時間,而各工站(從頭至尾)平均生產/制造之加總極為該制程之制程周期時間。目前TI-ACER LINE REPORT 之生產周期時間乃采用“制程周期時間”。一般而言,生產周期時間可以下列公式概略推算之:生產周期時間=在制品(WIP)/產能(THROUGHOUT)

  40 CYCLE TIME 生產周期 IC制造流程復雜,且其程序很長,自芯片投入至晶圓測試完成,謂之Cycle Time。由於IC生命周期很短,自開發、生產至銷售,需要迅速且能掌握時效,故Cycle Time越短,競爭能力就越高,能掌握產品上市契機,就能獲取最大的利潤。由於Cycle Time 長,不容許生產中的芯片因故報廢或重做,故各項操作過程都要依照規範進行,且要做好故障排除讓產品流程順利,早日出FIB上市銷售。

  41 DEFECT DENSITY 缺點密度 〝缺點密度〞系指芯片單位面積上(如每平方公分、每平方英吋等)有多少〝缺點數〞之意,此缺點數一般可分為兩大類:A.可視性缺點B.不可視性缺點。前者可藉由一般光學顯微鏡檢查出來(如橋接、斷線),由於芯片制造過程甚為復雜漫長,芯片上缺點數越少,產品量率品質必然越佳,故〝缺點密度〞常備用來當作一個工廠制造的產品品質好壞的指針。

  42 DEHYDRATION BAKE 去水烘烤 目的:去除芯片表面水分,增加光阻附著力。以免芯片表面曝光顯影後光阻掀起。方法:在光阻覆蓋之前,利用高溫(120℃或150℃)加熱方式為之。

  43 DENSIFY 密化 CVD沈積後,由於所沈積之薄膜(THIN FILM之密度很低),故以高溫步驟使薄膜中之分子重新結合,以提高其密度,此種高溫步驟即稱為密化。密化通常以爐管在800℃以上的溫度完成,但也可在快速升降溫機臺(RTP;RAPID THERMAL PROCESS)完成。

  44 DESCUM 電漿預處理 1.電漿預處理,系利用電漿方式(Plasma),將芯片表面之光阻加以去除,但其去光阻的時間,較一般電漿光阻去除(Stripping)為短。其目的只是在於將芯片表面之光阻因顯影預烤等制程所造成之光阻毛邊或細屑(Scum)加以去除,以使圖形不失真,蝕刻出來之圖案不會有殘余。2. 有關電漿去除光阻之原理,請參閱「電漿光阻去除」(Ashing)。3. 通常作電漿預處理,均以較低之力,及小之功率為之,也就是使光阻之蝕刻率降低得很低,使得均勻度能提高,以保持完整的圖形,達到電漿預處理的目的。

  45 DESIGN RULE 設計規範 由於半導體制程技術,系一們專業、精致又復雜的技術,容易受到不同制造設備制程方法(RECIPE)的影響,故在考慮各項產品如何從事制造技術完善,成功地制造出來時,需有一套規範來做有關技術上之規定,此即“DESIGN RULE”,其系依照各種不同產品的需求、規格,制造設備及制程方法、制程能力、各項相關電性參數規格等之考慮,訂正了如:1. 各制程層次、線路之間距離、線寬等之規格。2. 各制程層次厚度、深度等之規格。3. 各項電性參數等之規格。以供產品設計者及制程技術工程師等人之遵循、參考。

  46 EDSIGN RULE 設計準則 設計準則EDSIGN RULE:反應制程能力及制程組件參數,以供IC設計者設計IC時的參考準則。一份完整的Design Rule包括有下列各部分:A.制程參數:如氧化層厚度、復晶、金屬層厚度等,其它如流程、ADI、AEI 參數。主要為擴散與黃光兩方面的參數。B.電氣參數:提供給設計者做仿真電路時之參考。C.布局參數:及一般所謂的3μm、2μm、1.5μm…等等之Rules,提供布局原布局之依據。D.光罩制作資料:提供給光罩公司做光罩時之計算機資料,如CD BAR、測試鍵之擺放位置,各層次之相對位置之擺放等。

  47 DIE BY DIE ALIGNMENT 每FIELD均對準 每個Field再曝光前均針對此單一Field對準之方法稱之;也就是說每個Field均要對準。

  48 DIFFUSION 擴散 在一杯很純的水上點一滴墨水,不久後可發現水表面顏色漸漸淡去,而水面下漸漸染紅,但顏色是越來越淡,這即是擴散的一例。在半導體工業上常在很純的矽芯片上以預置或離子布植的方式作擴散源(即紅墨水)。因固態擴散比液體擴散慢很多(約數億年),故以進爐管加高溫的方式,使擴散在數小時內完成。

  49 DI WATER 去離子水 IC制造過程中,常需要用鹽酸容易來蝕刻、清洗芯片。這些步驟之後又需利用水把芯片表面殘留的鹽酸清除,故水的用量相當大。然而IC。工業用水,並不是一般的自來水或地下水,而是自來水或地下水經過一系列的純化而成。原來自來水或地下水中含有大量的細菌、金屬離子級PARTICLE,經廠務的設備將之殺菌、過濾和純化後,即可把金屬離子等雜質去除,所得的水即稱為〝去離子水〞,專供IC制造之用。

  50 DOPING 參入雜質 為使組件運作,芯片必須參以雜質,一般常用的有:1.預置:在爐管內通以飽和的雜質蒸氣,使芯片表面有一高濃度的雜質層,然後以高溫使雜質驅入擴散;或利用沈積時同時進行預置。2.離子植入:先使雜質遊離,然後加速植入芯片。

  51 DRAM , SRAM 動態,靜態隨機存取內存 隨機存取記憶器可分動態及靜態兩種,主要之差異在於動態隨機存取內存(DRAM),在一段時間(一般是0.5ms~5ms)後,資料會消失,故必須在資料未消失前讀取元資料再重寫(refresh),此為其最大缺點,此外速度較慢也是其缺點,而DRAM之最大好處為,其每一記憶單元(bit)指需一個Transistor(晶體管)加一個Capacitor(電容器),故最省面積,而有最高之密度。而SRAM則有不需重寫、速度快之優點,但是密度低,每一記憶單元(bit)有兩類:A.需要六個Transistor(晶體管),B.四個Transistor(晶體管)加兩個Load resistor(負載電阻)。由於上述之優缺點,DRAM一般皆用在PC(個人計算機)或其它不需高速且記憶容量大之記憶器,而SRAM則用於高速之中大型計算機或其它只需小記憶容量。如監視器(Monitor)、打印機(Printer)等外圍控制或工業控制上。

  52 DRIVE IN 驅入 離子植入(ion implantation)雖然能較精確地選擇雜質數量,但受限於離子能量,無法將雜質打入芯片較深(um級)的區域,因此需借著原子有從高濃度往低濃度擴散的性質,在相當高的溫度去進行,一方面將雜質擴散道教深的區域,且使雜質原子占據矽原子位置,產生所要的電性,另外也可將植入時產生的缺陷消除。此方法稱之驅入。在驅入時,常通入一些氧氣,因為矽氧化時,會產生一些缺陷,如空洞(Vacancy),這些缺陷會有助於雜質原子的擴散速度。另外,由於驅入世界原子的擴散,因此其方向性是各方均等,甚至有可能從芯片逸出(out-diffusion),這是需要註意的地方。

  53 E-BEAM LITHOGRAPHY 電子束微影技術 目前芯片制作中所使用之對準機,其曝光光源波長約為(365nm~436nm),其可制作線寬約1μ之IC圖形。但當需制作更細之圖形時,則目前之對準機,受曝光光源波長之限制,而無法達成,因此在次微米之微影技術中,及有用以電子數為曝光光源者,由於電子束波長甚短(~0.1A),故可得甚佳之分辨率,作出更細之IC圖型,此種技術即稱之電子束微影技術。電子束微影技術,目前已應用於光罩制作上,至於應用於光芯片制作中,則仍在發展中。

  54 EFR(EARLY FAILURE RATE) 早期故障率 Early Failure Rate是產品可靠度指針,意謂IC到客戶手中使用其可能發生故障的機率。當DRAM生產測試流程中經過BURN-IN高溫高壓測試後,體質不佳的產品便被淘汰。為了確定好的產品其考靠度達到要求,所以從母批中取樣本做可靠度測試,試驗中對產品加高壓高溫,催使不耐久的產品故障,因而得知產品的可靠度。故障機率與產品生命周期之關系類似浴缸,稱為Bathtub Curve.

  55 ELECTROMIGRATION 電子遷移 所謂電子遷移,乃指在電流作用下金屬的質量會搬動,此系電子的動量傳給帶正電之金屬離子所造成的。當組件尺寸越縮小時,相對地電流密度則越來越大;當此大電流經過集成電路中之薄金屬層時,某些地方之金屬離子會堆積起來,而某些地方則有金屬空缺情形,如此一來,堆積金屬會使鄰近之導體短路,而金屬空缺則會引起斷路。材料搬動主要原動力為晶界擴散。有些方法可增加鋁膜導體對電遷移之抗力,例如:與銅形成合金,沈積時加氧等方式。

  56 ELECTRON/HOLE 電子/ 電洞 電子是構成原子的帶電粒子,帶有一單位的負電荷,環繞在原子核四周形成原子。墊洞是晶體中在原子核間的共享電子,因受熱幹擾或雜質原子取代,電子離開原有的位置所遺留下來的“空缺”因缺少一個電子,無法維持電中性,可視為帶有一單位的正電荷。

  57 ELLIPSOMETER 橢圓測厚儀 將已知波長之射入光分成線性偏極或圓偏極,照射在待射芯片,利用所得之不同橢圓偏極光之強度訊號,以Fourier分析及Fresnel方程式,求得待測芯片模厚度

  58 EM(ELECTRO MIGRATION TEST) 電子遷移可靠度測試 當電流經過金屬導線,使金屬原子獲得能量,沿區塊邊界(GRAIN Bounderies)擴散(Diffusion),使金屬線產生空洞(Void),甚至斷裂,形成失效。其對可靠度評估可用電流密度線性模型求出:AF=【J(stress)/J(op)】n×exp【Ea/Kb (1/T(op)- 1/T(stress))】TF=AF×T(stress)

  59 END POINT DETECTOR 終點偵測器 在電漿蝕刻中,利用其反應特性,特別設計用以偵測反應何時完成的一種裝置。一般終點偵測可分為下列三種:A.雷射終點偵測器(Laser Endpoint Detector): 利用雷射光入射反應物(即芯片)表 面,當時顆發生時,反應層之厚度會逐漸減少,因而反射光會有幹擾訊號產生,當蝕刻完成時,所接收之訊號亦已停止變化,即可測得終點。B.激發光終點偵測器(Optical Emission End Point Detector) 用一光譜接受器,接受蝕刻反應中某一反應副產物(Byproduct)所激發之光譜,當蝕刻反應逐漸完成,此副產物減少,光譜也漸漸變弱,即可偵測得其終點。C.時間偵測器:直接設定反應時間,當時間終了,即結束其反應。

  60 ENERGY 能量 能量是物理學之專有名詞。例如:B比A之電壓正100伏,若在A板上有一電子受B版正電吸引而加速跑到B版,這時電子在B版就比在A版多了100電子伏特的能量。

  61 EPI WAFER 磊晶芯片 磊晶系在晶體表面成長一層晶體。

  62 EPROM(ERASABLE-PROGRAMMABLE ROM) 電子可程序只讀存儲器 MASK ROM內所存的資料,是在 FAB 內制造過程中便已設定好,制造完後便無法改變,就像任天堂遊戲卡內的MASK ROM,存的是金牌瑪麗就無法變成雙截龍。而EPROM是在ROM內加一個特殊結構叫A FAMDS,它可使ROM內的資料保存,但當紫外光照到它時,它會使 ROM內的資料消失。每一個晶憶單位都歸口。然後工程人員再依程序的規範,用30瓦左右的電壓將0101….資料灌入每一個記憶單位。如此就可灌電壓、紫外光重復使用,存入不同的資料。也就是說如果任天堂卡內使用的是EPROM,那麼你打膩了金牌瑪麗,然後灌雙截龍的程序進去,卡匣就變成雙截龍卡,不用去交換店交換了。

  63 ESDELECTROSTATIC DAMAGEELECTROSTATIC DISCHARGE 靜電破壞靜電放電 1自然界之物質均由原子組成,而原子又由質子、中子及電子組成。在正常狀態下,物質成中性,而在日常活動中,會使物質失去電子,或得到電子,此即產生一靜電,得到電子之物質為帶負靜電,失去電子即帶正靜電。靜電大小會隨著日常的工作環境而有所不同。如下表所示。活動情形 靜 電 強 度 (Volt)
  10-20﹪相對濕度 65-95﹪相對濕度
  走過地毯走過塑料地板在以子上工作拿起塑料活頁夾,袋拿起塑料帶工作椅墊摩擦 35,00012,0006,0007,00020,00018,000 1,5002501006001,00015,000
  表1 日常工作所產生的靜電強度表2.當物質產生靜電後,隨時會放電,弱放到子組件上,例如IC,則會將組件破壞而使不能正常工作,此即為靜電破壞或靜電放電。3.防止靜電破壞方法有二:A.在組件設計上加上靜電保護電路。B.在工作環境上減少靜電,例如工作桌之接地線,測試員之靜電環。載運送上使用防靜電膠套及海綿等等。

  64 ETCH 蝕刻 在集成電路的制程中,常需要將整個電路圖案定義出來,其制造程序通常是先長出或蓋上一層所需要之薄膜,在利用微影技術在這層薄膜上,以光阻定義出所欲制造之電路圖案,再利用化學或物理方式將不需要之部分去除,此種去除步驟便稱為蝕刻(ETCH)一般蝕刻可分為濕性蝕刻(WET ETCH)及幹性蝕刻(DRY ETCH)兩種。所謂幹性蝕刻乃是利用化學品(通常是鹽酸)與所欲蝕刻之薄膜起化學反應,產生氣體或可溶性生成物,達到圖案定義之目的。而所謂幹蝕刻,則是利用幹蝕刻機臺產生電漿,將所欲蝕刻之薄膜反映產生氣體由PUMP抽走,達到圖案定義之目的。

  65 EXPOSURE 曝光 其意義略同於照相機底片之感光在集成電路之制造過程中,定義出精細之光組圖形為其中重要的步驟,以運用最廣之5X STEPPER為例,其方式為以對紫外線敏感之光阻膜作為類似照相機底片,光罩上則有我們所設計之各種圖形,以特殊波長之光線(G-LINE 436NM)照射光罩後,經過縮小鏡片(REDUCTION LENS)光罩上之圖形則成5倍縮小,精確地定義在底片上(芯片上之光阻膜)經過顯影後,即可將照到光(正光阻)之光阻顯掉,而得到我們想要之各種精細圖形,以作為蝕刻或離子植入用。因光阻對於某特定波長之光線特別敏感,故在黃光室中早將一切照明用光元過濾成黃色,以避免泛白光源中含有對光阻有感光能力之波長成分在,這一點各相關人員應特別註意,否則會發生光線汙染現象,而擾亂精細之光阻圖。

  66 FABRICATION(FAB) 制造 Fabrication為“裝配”或“制造”之意,與Manufacture意思一樣,半導體制造程序,其步驟繁多,且制程復雜,需要有非常精密的設備和細心的作業,才能達到吳缺點的品質。FAB系Fabrication之縮寫,指的是“工廠”之意。我們常稱FIB為“晶圓區”,例如:進去“FAB”之前需穿上防塵衣。

  67 FBFC(FULL BIT FUNCTION CHIP) 全功能芯片 由於產品上會有缺陷,所以有些芯片無法全功能工作。因此須要雷射修補前測試,以便找到缺陷位置及多寡,接著就能利用雷射修補,將有缺陷的芯片修補成全功能的芯片。《當缺陷超過一定限度時,無法修補成全功能芯片》

  68 FIELD/MOAT 場區 FIELD直譯的意思是〝場〞,足球場和武道場等的場都叫做FIELD。它的含意就是一個有專門用途的區域。在IC內部結構中,有一區域是隔離電場的地方,通常介於兩個MOS晶體管之間,稱為場區。場區之上大部分會長一層厚的氧化層。

  69 FILTRATION 過濾 用過濾器(FILTER,為一半透膜折疊而成)將液體或氣體中的雜質給過濾掉,此稱為FILTRATION【過濾】因IC制造業對潔凈式的要求是非常嚴格的,故各種使用的液體或氣體,必須借著一個PUMP制造壓差來完成,如何炫則一組恰當的過濾器及PUMP是首要的課題。

  70 FIT(FAILURE IN TIME) FIT適用以表示產品可靠度的單位FIT=1Eailure in 10 9 Device-Hours例如1000 Device 工作1000Hours後1 Device故障,則該產品的可靠度為:(1Failure)/(1000 Devices*1000 Hours)=1000 FITs

  71 FOUNDRY 客戶委托加工 客戶委托加工主要是接受客戶委托,生產客戶自有權利的產品,也就是客戶提供光罩,由SMIC來生產制造,在將成品出售給客戶,指收取代工過程費用,這種純粹代工,不涉及銷售的方式在國際間較通常的稱呼就是矽代工(Silicon Foundry)。

  72 FOUR POINT PROBE 四點偵測 ·是量測芯片片阻值(Sheet Resistance)RS的儀器。·原理如下:有ABCD四針,A、D間通以電流I,B、C兩針量取電壓差(△V),則RS=K. △V/I K是常數比例和機臺及針尖距離有關

  73 F/S(FINESONIC CLEAN) 超音波清洗 超音波清洗的主要目的是用來去除附著在芯片表面的灰塵,其反應機構有二:1. 化學作用:利用SC-1中的NH4OH,H2O2與Silicon表面反應,將灰塵剝除。2. 2.物理作用:利用頻率800KHz,功率450W×2的超音波震蕩去除灰塵。

  74 FTIR 傅氏轉換紅外線光譜分析儀 FTIR乃利用紅外線光譜經傅利葉轉換進而分析雜質濃度的光譜分析儀器。目的:·已發展成熟,可Routine應用者,計 有: A.BPSG/PSG之含磷、含硼量預測。 B.芯片之含氧、含碳量預測。 C.磊晶之厚度量測。·發展中需進一步Setup者有: A.氮化矽中氫含量預測。 B.復晶矽中含氧量預測。 C.光阻特性分析。FTIR為一極便利之分析儀器,STD的建立為整個量測之重點,由於其中多利用光學原理、芯片狀況(i.e.晶背處理狀況)對量測結果影響至鉅。

  75 FTY(FINAL TEST YIELD) 在晶圓出廠後,必須經過包裝及T1(斷/短路測試),Burn -in(燒結),T3(高溫功能測試),T4(低溫功能測試),QA測試,方能銷售、出貨至客戶手中。在這段漫長而繁雜的測試過程中,吾人定義Final Test Yield 為:T1 Yield* Burn –in Yield*T3 Yield*T4 Yield

  76 FUKE DEFECT 成因為矽化物之氧化,尤其是以水蒸氣去致密化PBSG時會發生,造成閘極(Poly Gate)與金屬間的短路。矽化物之氧化可分為二類型:(以TiSi2)1. 熱力學觀點SiO2是最穩定,故Si 擴散至TiSi2之表面時會與水反應成SiO2而非TiO2。2. 動力學觀點而言,當Si不足時則會形成TiO2而將TiSi2分解。

  77 GATE OXIDE 閘極氧化層 GATE OXIDE是MOSFET(金氧半場效晶體管)中相當重要的閘極之下的氧化層。此氧化層厚度較薄,且品質要求也較嚴格。

  78 GATE VALVE 閘閥 用來控制氣體壓力之控制裝置。通常閘閥開啟越大,氣體於反應室內呈現之壓力較低;反之,開啟越小,壓力較高。

  79 GEC(GOOD ELECTRICAL CHIP) 優良電器特性芯片 能夠合於規格書(Data Book)上所定義電器特性的芯片。這些芯片才能被送往芯片包裝工廠制成成品銷售給客戶。

  80 GETTERING 吸附 “Gettering”系於半導體制程中,由於可能受到晶格缺陷(Crystal Defect)或金屬類雜質汙染等之影響,造成組件接口之間可能有漏電流(Junction Leakage)存在,而影響組件特性;如何將這些晶格缺陷、金屬雜質摒除解決的種種技術上作法,就叫做 ”Gettering”吸附。吸附一般又可分 “內部的吸附”---Intrinsic Gettering 及 “外部的吸附”---Extrinsic Gettering。前者系在下線制造之前先利用特殊高溫步驟讓晶圓表面的「晶格缺陷或含氧量」盡量降低。後者系利用外在方法如:晶背傷言、磷化物(POCl3)預置ETC將晶圓表面的缺陷及雜質等盡量吸附到晶圓背面。兩者均可有效改善上述問題。

  81 G-LINE G-光線 G-line系指一種光波的波長,多系水銀燈所發出之光波波長之一,其波長為436nm。G-line之光源,最常作為Stepper所用之水銀燈,本來系由許多不同之波長的光組成,利用一些Mirror和Filter反射、過濾的結果,會將其它波長之光過濾掉,僅余G-line作為曝光用。使用單一波長作為曝光光源可以得到較佳的能量控制和解吸力,但由於其為單色波故產生之駐波效應(Standing Wave)對光阻圖案產生很大的影響。在選擇最佳光阻厚度,以府合駐波效應,成為G-line Standing最要的工作之一。

  82 GLOBAL ALIGNMENT 整片性對準與計算 Global Alignment系指整片芯片在曝光前,先作整片性之對準與計算,然後接著可做整片芯片之曝光。·GLOBAL ALIGNMENT分為兩種:1普通的Global Alignment:每片芯片共對準左右兩點。2 Advance Global Alignment:每片芯片對準預先設定好之指定數個Field的對準鍵,連續對準完畢並晶計算機計算後,才整片曝光。

  83 GOI(GATE OXIDE INTEGRITY) 閘極氧化層完整性 半導體組件中,閘極氧化層的完整與否關系著電容上電荷的存放能力,故需設計一適當流程,其主要目的在側閘極氧化層之崩潰電壓(breakdown voltage)、有效氧化層厚度等,以仿真閘極氧化層的品質及可信賴度,通常即以此崩潰電壓值表示GOI的優劣程度。

  84 GRAIN SIZE 顆粒大小 一種晶體材料形成後,從微觀的角度來看,材料都是一大堆顆粒壘疊在一起而成。這些顆粒有大有小,尺寸不一。而且材料的特性也會因為顆粒大小而變化,故常要註意其大小變化。

  85 GRR STUDY(GAUGE REPEATABILITY AND REPRODUUCIBILITY) 測量儀器重復性與再現性之研究 將良策儀器的重復性—一其本身的變異,再現性—操作人本身的變異,用統計的方法算出,以判斷量測儀器是否符合制程參數控制之需要。

  86 H2SO4 硫酸 Suifuric Acid硫酸,為目前最廣泛使用的工業化學品。強力腐蝕性、濃稠、油狀液體,依純度不同,由無色至暗棕色,與水以各種不同比例互溶,甚具活性。溶解大部分的金屬。濃硫酸具氧化、脫水、磺化大部分的有機化合物,常常引起焦黑。比重1.84,沸點315℃。與水混合時需格外小心,由於放熱引起爆炸性的濺潑,永遠是將酸加到水中,而非加水至酸中。不小心被濺到,用大量水沖洗。目前在線上,主要用於SO清洗及光阻去除。

  87 H3PO4 磷酸 PHOSPHORIC ACID 磷酸無色無謂起泡液體或透明晶形固體。依溫度、濃度而定。在20℃50﹪及75﹪強度為易流動液體,85﹪為似糖漿,100﹪酸為晶體。比重1.834,熔點42.35℃。在213℃失去Y2 H2O,形成焦磷酸。溶於水、乙醚,能腐蝕鐵及合金。對皮膚、眼睛有刺激性,不小心濺到,可用水沖洗。目前磷酸用於SI3N4的去除,濃度是85﹪,沸點156℃,SI3N4與SIO2的蝕刻比約為30:1。

  88 HCL 氯化氫(鹽酸) Hydrochloric Acid鹽酸,為無色或淡黃色,發煙,刺激性液體。氯化氫的水溶液。鹽酸是一種強烈酸性及高腐蝕性酸。市面出售之”濃”或發煙酸含有氯化氫38%,比重1.19。氯化氫溶解在水中有各種不同的濃度。可溶於水、酒精、苯、不可燃。用途廣泛。可用於食品加工、金屬之酸洗與清潔、工業酸化、一般之清洗、實驗試藥。不小心被濺到,用大量水沖洗。目前線上,主要用於RCA清洗。

  89 HEPA 高效率過濾器 HEPA(High Efficiency Particulate Air Filter)為潔凈室內用以濾去微粒之裝置,一般以玻璃纖維制成,可將0.1μm 或0.3μm以上之微粒濾去99.97﹪, 壓力損失約12.5㎜H2O。層流臺能保持Class100以下之潔凈度,即靠HEPA達成。目前除層流臺使用HEPA外,其它如烤箱、旋轉機,為了達到控制Particle的效果,也都裝有HEPA之設計。

  90 HILLOCK 凸起物 金屬濺鍍後為使金屬與矽基(Si-Substrate)有良好的歐姆式接觸需先經融合過程,在融合過程中因鋁與矽的熱膨脹系數不同(鋁將會膨脹較快),而造成部分的鋁無法向外擴張只得向上膨脹造成小山丘狀的 ”凸起物”--Hillock。

  91 HMDS HMDS蒸鍍 HMD原為化學藥品HexaMethylDiSilazane的縮寫,在此則是指芯片在上光阻前的一個預先處理步驟。HMDS蒸鍍就是利用惰性氣體(例如氮氣)帶著HMDS的蒸汽通過芯片表面,而在芯片表面形成一層薄膜。其目的在於:A.消除芯片表面的微量水分。B.防止空氣中的水汽再次吸附於晶面C.增加光阻劑(尤其是正光阻)對於晶 面的附著能力,進而減少在爾後之顯 影過程中產生掀起,或是在蝕刻時產 生了”Undercutting”的現象。目前在規範中規定於HMDS蒸鍍完4小時內需上光阻以確保其功能。

  92 HNO3 硝酸 NITRIC ACID硝酸透明、無色或微黃色、發煙、易吸濕之腐蝕性液體,能腐蝕大部分金屬。歧黃色是由於曝光所產生之二氧化氮,為強氧化劑,可與水混合,沸點78℃,比重1.504。IC產業中硝酸用於清洗爐管,但對皮膚有腐蝕性,為強氧化劑,與有機物接觸有起火危險。清洗爐管用。

  93 HOT ELECTRON EFFECT 熱電子效應 在VLST的時代,Short Channel Devices勢在必行,而目前一般Circuit 應用上又未打算更改Supply Voltage;如此一來,VG=VD S=5V情況下,將造成Impact Ionization(撞擊遊離化)現象發生於Drain鄰近區域。伴隨而生之Electron-Hole pairs(電子電洞對),絕大部分經由Drain(Electrons)or Sub.(Holes)導流掉。但基於統計觀點,總會有少部分Electrons(i.e. Hot-Electrons)所具Energy,足以克服Si-SiO2之Barrier Height(能障),而射入SiO2且深陷(Trap)其中。另亦有可能在Hot-Electrons射入過程中打斷Si-H鍵結,而形成Interface Trap 於Si-SiO2接口。不論遵循上述二者之任一,均將導致NMOS Performance的退化(Degradation)現象。

  94 I-LINE STEPPER I-LINE步進對準曝光機 當光罩與芯片對準後,利用365nm之波長為光源,將預坐在光罩上圖形以M:1之比例,一步一步的重復曝光至芯片上之機器。

  95 IMPURITY 雜質 純粹的矽市金剛石結構,在室溫下不易導電。這時如加一些B11或As 7 5取代矽的位置,就會產生“電洞”或“載子”,加以偏壓後就可輕易導電。加入的東西即稱為雜質。

  96 INTEGRATED CIRCUIT(IC) 集成電路 集成電路是一九五八年由美國德州儀器公司所發明的。他是將一個完整的電子電路處理在一塊小小的矽芯片上,然後再以金屬聯機與外在引線相接,外加陶瓷或塑料包裝的裝置,由於它能將原本需要許多零件的電子電路集中縮小,因此被稱為集成電路。它具備優於傳統電子電路的三個特性:體積小、廉價、可靠。依照其集積化的程度可區分為小型(SSI)、中型(MSI)、大型(LSI)、超大型(VLSI)集成電路。

  97 ION IMPLANTER 離子植入機 在IC制程中有時需要精確地控制雜質的濃度及深度,此時即不宜由擴散之方式為之,故以”離子植入機”解離特定氣體後調整離子束電流(Beam Current),計算電流X時間得到所植入雜質的濃度並利用加速電壓控制植入的深度。

  98 ION IMPLANTATION 離子植入 1. 由於加速器集真空技術的發展,離子布植機成為本世紀高科技產品之一,取代了早先的預置制程。2. 其好處有:2-1可精確控制劑量。2-2在真空下操作,可免除雜質汙染。2-3可精確控制植入的深度。2-4是一種低溫的制程。2-5 只要能遊離,任何離子皆可植入

  99 ISOTROPIC ETCHING 等向性蝕刻 在蝕刻反應中,除了縱向反應發生外,橫向反應亦同時發生,此總蝕刻即稱之為等向性蝕刻。一般化學濕蝕刻多發生此種現象。幹式蝕刻,其實刻後的橫截面具有異向性蝕刻特性(Anisotropic),即可得到較陡的圖形。

  100 ITY(INTEGRATED TEST YIELD) 為界定產品從wafer fab至組裝、測試所有流程的良率,其定義為:INTEGRATED TEST YIELD=Wafer Yield*MPY*ATYNote:MPY:Multi-Probe Yield ATY:Assembly Test Yield

  101 LATCH UP 栓鎖效應 當VLSI線路密度增加,Latch-Up之故障模式於MOS VLSI中將愈來愈嚴重,且僅發生於 CMOS電路,所有COMS電路西寄生晶體管所引起的LATCH-UP問題稱之為SCR (SILICON-CONYROLLED RECTIFIER)LATCH-UP,在S1基體內CMOS中形成兩個雙截子晶體管P-N-P-N形式的路徑,有如一個垂直的P+-N-P與一個水平N+-P-N晶體管組合形成於CMOS反向器,如果電壓降過大或受到外界電壓、電流或光的觸發時,將造成兩個晶體管互相導過而短路,嚴重的話將使IC燒毀,故設計CMOS路防止LATCH-UP的發生是當前IC界最重要的課題。

  102 LAYOUT 布局 此名詞用在IC設計時,是指將設計者根據客戶需求所設計之線路,經由CAD(計算機輔助設計),轉換成實際制作IC時,所需要之光罩布局,以便去制作光罩。因此此一布局工作,關系到光罩制作出後是和原設計者之要求符何,因此必須根據一定之規則,好比一場遊戲一樣,必須循一定之規則,才能順利完成,而布局完成後之圖形便是IC工廠制作時所看到的光罩圖形。

  103 LOAD LOCK 傳送室 用來隔絕反應室與外界大器直接接觸,以確保反應室內之潔凈,降低反應是受汙染之程度。一般用於電漿蝕刻及金屬濺度等具有真空反應室之設備。

  104 LOT NUMBER 批號 批號乃是為線上所有材料之身份證,KEY IN批號如同申報流動戶口,經由COMAX系統藉以管制追蹤每批材料之所在站別,並得以查出每批材料之詳細相關資料,固為生產過程中之重要步驟。批號為7,其編排方法如下: X X X X X 年碼 流水序號92 0000193 0000294 00003以下類推※批號之產生乃於最投片時由SMS系統自動產生。

  105 LPCVD(LOW PRESSURE) 低壓化學氣相沈積 LPCVD的全名是Low Pressure Chemical Vapor Deposition,即低壓化學氣相沈積。這是一種沈積方法。在IC制程中,主要在生成氮化矽、復晶矽、二氧化矽及非晶矽等不同材料。

  106 LP SINTER 低壓燒結 低壓燒結(Low Pressure Sinter, LP Sinter),指在低於大氣壓力下(一般為50 Pa或更地),加熱組件。目地在使金屬膜內之原子,籍由熱運動重新排列,以減少原有之晶格缺陷,形成較佳之金屬結晶顆粒以增加膜之品質。由於在低壓下熱傳導之途徑主要為輻射(Radiation)而非對流(Convection)或傳導(Conduction),因此控溫之方式須選以加熱線圈為監控溫度(Spike Control)而非實際芯片或管內之溫度(Profile Control),以避免過熱(Over-Shooting)之現象。

  107 LPY(LASER PROBE YIELD) 雷射修補前測試良率 針測出能夠被雷射修補後,產生出全功能的芯片,比便送入雷射修補機,完成雷射修補的動作。此測試時由全功能芯片一開始就是全功能芯片,須要經過雷射修補前測試,計算出缺陷多寡及位置,以便進行雷射修補,將缺陷較少的芯片修補成全功能芯片。(缺陷超過一定限度時無法修補成全功能芯片)

  108 MASK 光罩 MASK原意為面具,而事實上光罩在整個IC制作流程上,所扮演之角色藝有幾分神似。光ˋ照主要之用途在於利用光阻制程,將我們所需要之圖形一直復印在芯片上,制作很多之IC晶方。而光罩所用只對準機臺,也分為1X,5X,10X,MASK(即1:1,5:1,10:1)等,而根據其制作之材質又可分為石英光罩(QUARTY),綠玻璃光罩等。

  109 MICRO,MICROMETER,MICRON 微,微米 1.定義:Micro為10-6 1 Micro=10-61 Micrometer =10-6 m=1 Micro=1μm通常我們說1μ即為10-6 m又因為1?=10-8㎝=10-10m(原子大小)故1μ=10,000?約唯一萬個原子堆積而成的厚度或長度。

  110 MISALIGN 對準不良 1.定義:這層光阻圖案和上層【即留在芯片上者】圖案疊對不好,超出規格。可依照不同層次的規格決定要不要修改。原因:人為、機臺、芯片彎曲、光罩

  111 MOS 金氧半導體 1.定義:構成IC的晶體管結構可分為兩型-雙載子型(bipolar)和MOS型(Metal-Oxide-Semiconductor)。雙載子型IC的運算速度較快但電力消耗較大,制造工程也復雜,並不是VLSI的主流,而MOS型是由電廠效應晶體管(FET)集積化而成。先在矽上形成絕緣氧化膜之後,再由它上面的外加電極(金屬或復晶矽)加入電場來控制其動作,制程上比較簡單,,。也較不耗電,最早成為實用化的是P-MOS,但其動作速度較慢,不久更高速的N-MOS也被采用。一旦進入VLSI的領域之後,NMOS的功率消耗還是太大了於是由P-MOS及 N_MOS組合而成速度更高,電力消耗更少的互補式金氧半導體(CMOS,Complementary MOS)遂成為主流。

  112 MPY(MULTI PROBE YIELD) 多功能偵測良率 針測出符合電路特性要求的芯片,以便送刀封包工廠制成內存成品;此測試時得到的良品率稱之。每片晶圓上並不是每一個芯片都能符合電路特性的要求,因此須要多功能針測以找出符合要求的芯片。

  113 MTBF(MEAN TIME BETWEEN FAILURE) MTBF為設備可靠度的評估標準之一,其意指設備前後發生故障的平均時間。MTBF時間愈短表示設備的可靠度愈佳,另外MTTR為Mean Time to Repair為評估設備修復的能力。

  114 N2,NITROGEN 氮氣 定義:空氣中約4/5是氮氣。氮氣勢一安定之惰性氣體,由於取得不難且安定,故Fib內常用以當作Purge管路,除去臟汙、保護氣氛、傳送氣體(Carrier Gas)、及稀釋(Dilute)用途。另外,氮氣在零下196℃(77F)以下即以液態存在,故常被用作真空冷卻源。現在Fab內Clean House用之氮氣為廠務提供99.999﹪純度者,生產線路所用之氮氣為瓶裝更高純度者。因氮氣之用量可局部反應生產成本,故應節約使用以降低成本。

  115 N,P TYPE SEMICONDUCTOR N,P型半導體 1. 定義:一般金屬由於阻值相當低(10-2Ω-㎝以下),因此稱之為良導體,而氧化物阻值高至105Ω-㎝以上,稱之非導體或絕緣體。若阻值在10-2~105Ω-㎝之間,則名為半導體。IC工業使用的矽芯片,阻值就是在半導體的範圍,但由於Si(矽)是四價鍵結(共價鍵)的結構,若參雜有如砷(As)磷(P)等五價元素,且占據矽原子的地位(Substitutional Sites),則多出一個電子,可用來導電,使導電性增加,稱之為N型半導體。若參雜硼(B)等三價元素,且仍占據矽原子的地位,則鍵結少了一個電子,因此其它鍵結電子在足夠的熱激發下,可以過來填補,如此連續的電子填補,稱之為電洞傳導,亦使矽之導電性增加,稱之為P型半導體。因此N型半導體中,其主要帶電粒子為帶負電的電子,而在P型半導體中,則為帶正電的電洞。在平衡狀況下(室溫)不管N型或P型半導體,其電子均與電洞濃度的乘積值不變。故一方濃度增加,另一方即相對減少。

  116 NSG(NONDOPED SILICATE GLASS) 無參入雜質矽酸鹽玻璃 NSG為半導體集成電路中之絕緣層材料,通常以化學氣相沈積的方式聲稱,具有良好的均勻覆蓋特性以及良好的絕緣性質。主要應用於閘極與金屬或金屬與金屬間高低不平的表面產生均勻的覆蓋及良好的絕緣,並且有助於後績平坦化制程薄膜的生成。

  117 NUMERICAL APERTURE(N.A.) 數值孔徑 1. 定義:NA是投影式對準機,其光學系統之解析力(Resolution)好壞的一項指針。NA值越大,則其解析力也越佳。依照定義,數值孔徑 NA=n.sin?=n.D/2/f=n.D/2f換算成照相機光圈值f-number(f/#)可得f/#=f/d=1/2NA(D:鏡面直徑。f:鏡頭焦距。n:鏡頭折射率。f/#即我們在照相機鏡頭之光圈值上常見的f/16,8,5.6,4,5.3,2.8等即是)亦即,鏡片越大,焦距越短者,解析力就越佳,但鏡片的制作也就越困難,因為易產生色差(Chromatic Aberration)及像畸變(Distorsion),以CANON Stepper為例,其NA=0.42,換算成照相機光圈,Stepper鏡片之昂貴也就不足為奇了。

  118 OEB(OXIDE ETCH BACK ) 氧化層平坦化蝕刻 將Poly-1上之多余氧化層(Filling OX)除去,以達到平坦化之目的。

  119 OHMIC CONTACT 歐姆接觸 1. 定義:歐姆接觸試紙金屬與半導體之接觸,而其接觸面之電阻值遠小於半導體本身之電阻,使得組件操作時,大部分的電壓降在於活動區(Active region)而不在接觸面。欲形成好的歐姆接觸,有兩個先決條件:A.金屬與半導體間有低的接口能障(Barrier Height)B.半導體有高濃度的雜質滲入(ND>=1018 ㎝-3)前者可使接口電流中熱激發部分(Thermionic Emission)增加;後者則使接口空乏區變窄,電子有更多的機會直接穿透(Tunneling),而同時Rc阻值降低。若半導體不是矽晶,而是其它能量間隙(Energy Gap)較大的半導體(如GaAs),則較難形成歐姆接觸(無適當的金屬可用),必須於半導體表面參雜高濃度雜質,形成Metal-n+ -n or Metal-P+ -P等結構。

  120 ONO(OXIDE NITRIDE OXIDE) 氧化層-氮化層-氧化層 半導體組件,常以ONO三層結構做為介電質(類似電容器),以儲存電荷,使得資料得以在此存取。在此氧化層 - 氮化層 – 氧化層三層結構,其中氧化層與基晶的結合較氮化層好,而氮化層居中,則可阻擋缺陷(如pinhole)的延展,故此三層結構可互補所缺。

  121 OPL (OP LIFE)(OPERATION LIFE TEST) 使用期限(壽命) 任何對象從開始使用到失效所花時間為失敗時間(Time of Failure: TF),對產品而言,針對其工作使用環境(Operation),所找出的TF,即為其使用期限(Operation Life Time)。其方法為:AF = exp [? (Estress-Eop)] *exp [ Ea / k (1 / Top – / Tstress)]..(1)K = 8.63 * 10-5Failure Rate λ (t) = No. of Failure * 109 / Tatal Test Time * AF * Device, in FITTotal Test Time * AF = Operation Hours

  122 OXYGEN 氧氣 OXYGEN氧氣無色,無氣味,無味道雙原子氣體。在-183℃液化成淺藍色的液體,在218℃固化。在海平面上,空氣中約占20﹪體積的氧,溶於水和乙醚,不可燃,可以助燃。在電漿光阻去除中,氧氣主要用來去除光阻用。在電漿幹蝕刻中,氧混入CF4氣體中,可增加CF4氣體的蝕刻速度。目前氧氣主要用途在於電漿光阻去除;利用氧氣在電漿中產生氧的自由基(RADICAL)與光阻中的有機物反應,產生二氧化碳和水氣體蒸發,達到去除光阻的效果。

  123 P31 磷 •自然界元素之一。由15個質子及16個中子所組成。•離子植入的磷離子,是由氣體PH3經燈絲加熱分解得到的3 L P+離子,借著Extraction 抽出氣源室經加速管加速後,布植在芯片上。•是一種N-type離子,用做磷植入,S/D植入等。

  124 PARTICLE CONTAMINATION 塵粒汙染 塵粒汙染:由於芯片制造過程甚為漫長,經過的機器、人為處理操作過程甚為繁雜,但因機器、人為均獲多或少會產生一些塵粒,這些塵粒一但沾附到芯片上,集會造成汙染影響,而傷害到產品品質與良率,此即『塵粒汙染』,我們在操作過程中應時時防著各項塵粒汙染來源。

  125 PARTICLE COUNTER 塵粒計數器 1.定義:快捷方式市之等即是以每立方呎內之為例數為分類標準,而計算微粒數的儀器即稱塵粒計數器。

  126 PASSIVATION OXIDE(P/O) 護層 1. 定義:為IC最後的制程,用以隔絕Device和大氣2. 目的:因與大氣接觸,故著重在Corrosion(鋁腐蝕)、Crack(龜裂)、Pin Hole(針孔)之防治。除了防止組件為大氣中汙染之隔絕外,護層也可當作Metal層之保護,避免Metal被刮傷。3. 方法:護層可分兩種材料: A.大部分產品以PSG當護層(P Content 2-4﹪)。 B.少部份以PECVD沈積之氮化矽為之。

  127 P/D(PARTICLE DEFECT) 塵粒缺陷 Particle Defect顆粒缺陷為當今影響4M DRAM制程良率的最大主因,一般而言,particle size如大於design rule的二分之一,足以造成組件的損壞。故在clean room的潔凈度要求,操作人員的潔凈紀律、設備本身的結構以及制程的條件和設備維修的能力,無一不為了降低particle和提升良率而做最大的努力。

  128 PECVD 電漿CVD 1.定義:CVD化學反應所須知能量可以是熱能、光能或電漿。以電漿催化之CVD稱作PECVD。PECVD的好處是反應速度快、較低的基版溫度及Step Coverage;缺點是產生較大的應力,現Fib內僅利用PECVD做氮化矽護層。PECVD英文全名為Plasma Enhancement CVD。

  129 PELLICLE 光罩護膜 一般在光罩過程中,易有微塵掉落光罩上,而使chip有重復性缺陷,故在光罩上下面包圍一層膜,稱之為Pellicle。好處如下:1. 微層僅只掉落在膜上,光繞射結果對於此微塵影響圖按程度將降至最低。2. 無須經清洗過程而只須用空氣槍吹去膜上異物即可將異物(微層)去除。

  130 PELLICLE 光罩保護膜 顧名思義,光罩保護膜之最大功能,即在保護光罩,使之不受外來贓汙物之汙染,而保持光罩之潔凈;一般使用之材料為硝化織微素,而厚度較常用的有0.28U,0.86U兩種。一般而言,可將PELLICLE分為兩部分:(I)FRAME:骨架部分,支持其薄膜之支架,其高度稱為STAND-OFF,一般而言,愈高其能忍受PARTICLE之能力愈高,但須配合機臺之設計使用,(II)FILM:透明之薄膜,其厚度之均勻度,透光率是使用時重要之參數。PELLICLE之壽命,除了人為損傷外,一般均可曝光數十萬次,透光率衰減後才停用並更換。光罩PELLICLE膜 PARTICLE LENS SYSTEMWAFERPELLICLE面之成像

  131 PH3 氫化磷 1.定義:一種半導體工業之氣體,經燈絲加熱供給能量後,可分解成P4,PH4、PH2(及H4)。通常31P4最大。可由質譜譜場分析出來,做N-type離子布植用
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