winggundam
Would you like to react to this message? Create an account in a few clicks or log in to continue.

DPZ - 電的旅程

2 posters

11頁(共16頁) 上一頁  1 ... 7 ... 10, 11, 12 ... 16  下一步

向下

DPZ - 電的旅程 - 頁 11 Empty 回復: DPZ - 電的旅程

發表 由 Admin 周日 2月 09, 2014 8:31 am

「第十五章:矽谷與晶片」
<克萊與「八叛徒」( 4 )>……續上
諾宜斯等人商量的結果是八人共同進退,一起離開蕭克萊,希望有公司可以把他們八個人一起僱用。八人中有一個名叫克萊納(Gene Kleiner),他的父親熟識一間華爾街投資經紀行,於是他寫了一封信徵求意見,碰碰運氣。出乎意料的是經紀行派了兩人從紐約專程來三藩市和大家見面,兩人中有一位年輕人剛從哈佛商學院畢業,叫洛克(Arthur Rock),他從投資角度來看覺得這是個大好機會,大膽建議八人一起設立自己的公司,找人投資。
對諾宜斯等八人來說,他們只想去大公司找工作,沒有想過自己開公司。洛克的建議令大家茅塞頓開,非常興奮,可是這種創業概念風險太大,銀行是絕對不肯借錢的。商量的結果是先接觸大公司,看有沒有哪一家公司有興趣投資。大家從道瓊上市股的名單中找出了35家對電晶體產業可能有興趣的公司,洛克回紐約後就去接洽每一家公司。
在隨後的日子裏,洛克發出很多詢問信都沒有回音,就算有回信,也表明沒有興趣。主要的問題是這些公司內部都已有很多技術人員,管理階層認為這種新的創業投資安排會影響內部的士氣與安定。就在這個前途非常不明確的時刻,洛克在一個偶然機會碰到了紐約富豪費捷(Sherman Fairchild),他的父親是IBM創始人之一,因自己是獨生子,繼承了父親的全部遺產,成為IBM最大的個人股東。…… (待續)

Admin
Admin

文章數 : 15038
注冊日期 : 2009-07-11

http://winggundam.show5forum.com

回頂端 向下

DPZ - 電的旅程 - 頁 11 Empty 回復: DPZ - 電的旅程

發表 由 Admin 周日 2月 09, 2014 8:32 am

「第十五章:矽谷與晶片」
<克萊與「八叛徒」( 5 )>……續上
費捷在紐約長島擁有照相儀器公司及飛機公司,專發展軍事偵察機及機上的超高解析度照相設備。費捷個人對攝影及高科技很有興趣,聽了洛克的計畫後表示有興趣投資。不久,洛克安排費捷和諾宜斯等人見了面,他很爽快的答應由他屬下的照相機及儀器公司出面投資150萬美元,設立「快捷半導體公司」(Fairchild Semicondutor Company),佔有公司的70%股份。洛克的經紀行也做了少量投資,佔20%。加盟的八人,每人只要出資500美元,就可平分剩下的10%股份。這個安排開創了現代流行的風險資本創業投資(簡稱「創投」)模式。洛克自己在1960年從紐約搬到三藩市,設立了矽谷第一家創投公司,後來英代爾及蘋果電腦創業,洛克都是主要投資者。…… (待續)

Admin
Admin

文章數 : 15038
注冊日期 : 2009-07-11

http://winggundam.show5forum.com

回頂端 向下

DPZ - 電的旅程 - 頁 11 Empty 回復: DPZ - 電的旅程

發表 由 Admin 周日 2月 09, 2014 8:32 am

「第十五章:矽谷與晶片」
<克萊與「八叛徒」( 6 )>……續上
諾宜斯等八人在籌備建立快捷半導體時,都還是蕭克萊實驗室的僱員。到1957年9月,萬事俱備,八人同時辭職,第二天就向附近新成立的快捷半導體報到。新租的廠房只是一間空屋,沒有任何設備。其實當時也根本沒有專門製造半導體生產設備的工業,一切都要靠自己動手設計和建造。
八人中,諾宜斯及拉斯特(Jay Last)兩人對光學很專長,他們買了舊的16 mm相機鏡頭,自己設計並製成了三套用來「光刻」時用的精確感光生產設備。摩爾和何尼(Jean Hoerni)兩人負責設計和製造氣態擴散用的高溫爐子和石英管設置。摩爾會吹玻璃,這個本領派上了大用場。羅拔茲(Sheldon Roberts)製造了拉單晶的設備,幾個月後就可自行供應矽晶圓。格林尼齊(Victor Grinich)對電子系統很拿手,很快設立了半自動設備,用來測試生產的電晶體性能。布蘭克(Julius Blank)和克萊納負責完成整套生產設備及流程。克萊納還是一位出色的機械師,自己動手用車床製成了很多特別設計的部件。
這是大家在兩年中第二度全心全力投入創業的浪潮,但是這次他們自己有股份,也沒有蕭克萊從中作梗。公司發展的目標明確,全力集中開發用擴散技術生產的矽電晶體。兩個月後,他們從IBM拿到了第一張50萬美元的訂單,於是開始招兵買馬,從全國各地吸引了很多新的技術精銳加盟。就在快捷半導體搬進一間空廠房之後的第十個月,公司就成功生產了第一批電晶體,向IBM交了貨,一間新興的半導體公司誕生了。…… (待續)

Admin
Admin

文章數 : 15038
注冊日期 : 2009-07-11

http://winggundam.show5forum.com

回頂端 向下

DPZ - 電的旅程 - 頁 11 Empty 回復: DPZ - 電的旅程

發表 由 Admin 周日 2月 09, 2014 8:32 am

「第十五章:矽谷與晶片」
<克萊與「八叛徒」( 7 )>……續上
回顧這件事,可以看到蕭克萊當年眼光獨到,他聘請的這八個年輕人都是一流人才,而且能力相輔相佐,組成出色的團隊,可惜他自己缺乏領袖才能,浪費了大好機會。當八人還身在蕭克萊實驗室的時候,已在積極籌備新公司的設立及運作,大家帶了很多技術去快捷半導體是不用置疑的。貝克曼曾經考慮對八人提出法律訴訟,結果也不知道為了什麼原因,沒有追究下去,或許因為八人事先曾四次誠意的找他商量解決辦法,但他沒有接受他們的建議。貝克曼對這八人感情上一定很複雜,包括也有一些歉意吧。
八人的作風,後來在矽谷各間公司重複了無數次。如果當初貝克曼支持八人的建議,貝克曼(蕭克萊)半導體公司很有可能會是世界最大的電子企業;同樣的,如果洛克沒有在最後關頭找到費捷投資,諾宜斯等八人很可能就此分道揚鑣,矽谷也不一定會產生。歷史的發展就是這樣,令人感歎。…… (待續)

Admin
Admin

文章數 : 15038
注冊日期 : 2009-07-11

http://winggundam.show5forum.com

回頂端 向下

DPZ - 電的旅程 - 頁 11 Empty 回復: DPZ - 電的旅程

發表 由 Admin 周日 2月 09, 2014 8:34 am

「第十五章:矽谷與晶片」
<克萊與「八叛徒」( 8 )>……續上
蕭克萊電晶體公司本來已危機重重,八人離開後,更是搖搖欲墜。生產出來的新產品經貝爾實驗室測試,不符合電話中央交換機的要求,沒有接到訂單,也沒有其他市場。後來貝克曼低價把公司賣給了另一家叫Clevite的公司,自己退出了半導體工業。至此蕭克萊意氣消沉,離開了一手創立的公司,去鄰近史丹福大學當教授,對後來矽谷的蓬勃發展做了一個旁觀者。在研究方面,他選擇了飽受爭議的優生學,固執的逆流而爭。1989年,蕭克萊因前列腺癌逝世,享年七十九歲。毫無疑問,在半導體歷史上,蕭克萊是最有影響力的人,他對技術的貢獻與洞見,無人可以相比。
在1971到1972年間,我有幸選修了蕭克萊兩門課。他給我的印象是非常和善客氣,一點也沒有架子。在九個月中,他從來沒有缺過課,教得非常認真。用的教科書就是他在1952年出版的《半導體的電子與電洞》(Electrons and Holes in Semiconductor)。蕭克萊教書重視概念上的認識,數學只是用來更具體的解釋這些概念及計算一些「量」的結果。他思維活躍,不拘格式。
他最得意的理論,是與呂德(W. T. Read)一起發展出來的p-n接面中電子與電洞「產生-重組」過程所產生的滲漏電流。這個理論沒有用上熟悉的固態物理,而是聰敏的利用了熱力學「細緻平衡原理」(detailed balance principle)。他最推崇的當世科學家是費米(Enrico Fermi),坦承費米在統計學上的思路給了他很多啟發。…… (待續)

Admin
Admin

文章數 : 15038
注冊日期 : 2009-07-11

http://winggundam.show5forum.com

回頂端 向下

DPZ - 電的旅程 - 頁 11 Empty 回復: DPZ - 電的旅程

發表 由 Admin 周日 2月 09, 2014 8:35 am

「第十五章:矽谷與晶片」
<克萊與「八叛徒」( 9 )>……續上
除了講述半導體物理外,蕭克萊還喜歡和學生分享一些自己思考的方法,包括「思考的決心」和「創意的失敗」(creative failure)。「思考的決心」在他1947年底發明接面電晶體時,已有論及。至於「創意的失敗」,他舉的例子是巴丁和布拉頓的點觸式電晶體,在應用上沒有起作用,可以說是失敗的,但直接引發了更優越的接面電晶體。雖然論點沒有錯,但總有一些貶低巴丁及布拉頓的味道。同樣的,我們也可以說:蕭克萊半導體實驗室是「創意的失敗」,引發了後來矽谷的成功!
蕭克萊提倡:解決複雜的問題時,先要把問題分解成一連串簡單的問題,再從最簡單的先著手。還有一個概念就是,世上有些問題不一定有答案,如果長期不能解決,就須退一步重新考慮根本因素,另覓新徑。
記得有一次小考,有一個題目大家做不出來,都很困擾。他聽了大家的想法後哈哈大笑說:「你們怎麼沒有想到,我給你們的幾個先決條件是互相矛盾的?所以這個問題根本沒有答案!」他的思考本領,我們還沒有學到家吧!也或許我們這些學生太容易受權威震怯,而失去了獨立思考的能力?
蕭克萊有時會講一下貝爾實驗室的往事,但從不提起他的創業歷史及八名叛徒,也不提優生學。看著這位微微駝背、戴著金絲邊眼鏡、面帶微笑,好像與世無爭的長者,印象上很難和歷史上的蕭克萊連起來。俱往矣!……(完)

Admin
Admin

文章數 : 15038
注冊日期 : 2009-07-11

http://winggundam.show5forum.com

回頂端 向下

DPZ - 電的旅程 - 頁 11 Empty 回復: DPZ - 電的旅程

發表 由 Admin 周日 2月 09, 2014 8:38 am

「第十五章:矽谷與晶片」
<平面製程與晶片 ( 1 )>
1957年,蘇聯成功發射了「旅伴號」(Sputnik)人造衛星,使得美國朝野震驚。第二年初,美國就成立了航空暨太空總署(NASA)及國防高等研究計畫署(DARPA),來統籌美國在太空及尖端軍事技術上的發展和投資。這對於還在嬰兒時代的半導體工業來說,是一個好消息。快捷半導體開業半年不到,就從IBM拿到一張50萬美金的訂單,提供最先進的矽電晶體用在新的軍用電腦上。不久,國防部及航太總署的訂單源源不絕而來,公司很快開始有盈餘。其他公司如德儀及摩托羅拉也是一樣。
如果把封裝在微型金屬罐中的電晶體標準產品用在太空或火箭上的電子設備中,體積仍嫌太大。在1943年,英國的愛斯勒(Paul Eisler)發明了「印刷電路板」(printed circuit board,簡稱PCB)。美國軍方認為這個做法有助於縮小電子系統的體積及重量,於是根據PCB技術原理,投資發展了多種更精確的封裝技術,包括「薄膜併合電路」(thin film hybrid)——在一塊附有多層金屬膜的絕緣陶瓷片上,用「光刻」和酸蝕技術把金屬膜蝕刻成設計的電路,然後把小型片狀的電晶體等元件,小心的放置在準確的電路位置上,再焊接各個通電的接觸點。用這個辦法,很多重要的電子系統可以縮小到比一個火柴盒還小,小型的雷達追蹤器甚至可以直接安裝在火箭頂端。…… (待續)

Admin
Admin

文章數 : 15038
注冊日期 : 2009-07-11

http://winggundam.show5forum.com

回頂端 向下

DPZ - 電的旅程 - 頁 11 Empty 回復: DPZ - 電的旅程

發表 由 Admin 周日 2月 09, 2014 8:39 am

「第十五章:矽谷與晶片」
<平面製程與晶片 ( 2 )>……(續上)
Centralab是美國中西部一家中型電子公司,公司裡有一名年輕的工程師名叫基爾比(Jack Kilby),他身高2米,平常沉默寡言,但思路清晰周密,技術上非常出色。基爾比從伊利諾大學電機系畢業,二次大戰時參軍,被派往緬甸專門維修無線通訊設備。由於天氣極端潮濕,美軍的無線電經常失靈。基爾比充分發揮了「解決難題」的工程師本能,改良了無線電的設計,提高了在熱帶叢林作戰的可靠度。
戰爭結束後,他參加了Centralab,在公司中專門設計及組裝「薄膜併合電路」電子系統。做得時間長了,對這些技術有些厭倦。基爾比在1952年時,曾由公司派去參加貝爾實驗室的電晶體技術轉移訓練班,他一直渴望有機會研究電晶體的基本技術,可惜Centralab沒有這方面的計畫及資源,基爾比久經考慮,決定另外尋找新工作。…… (待續)

Admin
Admin

文章數 : 15038
注冊日期 : 2009-07-11

http://winggundam.show5forum.com

回頂端 向下

DPZ - 電的旅程 - 頁 11 Empty 回復: DPZ - 電的旅程

發表 由 Admin 周日 2月 09, 2014 8:40 am

「第十五章:矽谷與晶片」
<平面製程與晶片 ( 3 )>……(續上)
1959年,基爾比的機會來了,德儀中央實驗所聘請了他。基爾比興奮的到德儀報到,然後全心投入到工作中。他很快就對德儀電晶體製造的過程有了瞭解,對元件各方面的原理及性能也有了更深刻的認識。七月份是研究所關閉的日子,很多人都和家人渡暑假去了,非常冷清。基爾比剛來上班,沒有假期積累,只好留下來,趁此機會靜靜的思考問題。
在他熟悉的薄膜併合電路上,普通常用的元件有電晶體、二極體、電阻及電容。有時還需電感應,但不常用。基爾比再想深一層:用擴散技術製造成的電晶體,本身是一個三極體,但如果只用三極中的兩極,就是一個二極體,同時在負電壓(不導電的方向)的情形下,二極體可看成是一個電容器,而半導體材料本身就是電阻。所以,所有這些元件的功能在同一枚晶片中都存在。如果把這些元件設計好,再連接起來,不就可以把整個電路製造在同一片矽或鍺晶片上嗎?基爾比把各種元件的實際數據仔細分析之後,覺得這個想法有可能成功。
假期結束大家回來後,基爾比把他的想法和詳細的分析結果,和上司商量,得到充分的支持。他請實驗室中的專家,用一小片已經經過擴散步驟的鍺,蝕刻成設計好的三極體、二極體、電容及電阻,然後用細的金線把元件焊接起來。這個電路設計是一個簡單的「振盪器」(oscillator),就是阿姆斯壯在發展收音機時的發明。當基爾比把電壓緩緩加高時,用來測示的螢光幕上清楚的顯示了每秒振動一百萬次的訊號,符合了基爾比電路設計的預測。世界上第一片「積體電路」(integrated circuit,簡稱IC,或直接叫chip、晶片)問世了!…… (待續)

Admin
Admin

文章數 : 15038
注冊日期 : 2009-07-11

http://winggundam.show5forum.com

回頂端 向下

DPZ - 電的旅程 - 頁 11 Empty 回復: DPZ - 電的旅程

發表 由 Admin 周日 2月 09, 2014 8:40 am

「第十五章:矽谷與晶片」
<平面製程與晶片 ( 4 )>……(續上)
德儀管理階層意識到這個發明的重要性,馬上就開始申請專利。同時基爾比也開始用這個原理來設計比較複雜的電路。不久,基爾比的積體電路概念成功的移植到了矽晶上。但有一個基本問題仍舊無法解決,那就是如何把晶片上大量蝕刻的元件可靠的連接起來?用金線焊接的方法只能是權宜之計,因為電路稍複雜就行不通了。對於這個難題,基爾比束手無策,在申請專利時只好含糊的一筆帶過。
就在基爾比加盟德儀的時候,諾宜斯和他的同伴正在快捷半導體公司發展擴散技術,大量生產矽電晶體。快捷半導體的電晶體性能優越,很受顧客歡迎,銷售量不斷上升,但是電晶體的良率仍很低。主要原因是矽晶片經過兩次擴散之後,必須把晶片表面處理乾淨,用氟酸洗去所有在擴散時產生的二氧化矽薄膜,再用光刻技術把經過擴散的矽晶片蝕刻成一個個分割的p-n接面。每一個獨立的接面,就是一枚電晶體。電晶體像一座平頂高台,所以這個技術叫「高台製程」(mesa process)。電晶體良率的問題,主要出在高台的邊緣及旁邊暴露的p-n接面,這些區域易受外界因素影響,又不易保護。…… (待續)

Admin
Admin

文章數 : 15038
注冊日期 : 2009-07-11

http://winggundam.show5forum.com

回頂端 向下

DPZ - 電的旅程 - 頁 11 Empty 回復: DPZ - 電的旅程

發表 由 Admin 周日 2月 09, 2014 8:40 am

「第十五章:矽谷與晶片」
<平面製程與晶片 ( 5 )>……(續上)
每一家公司都為此問題頭痛不已。其實在1954年,貝爾實驗室研究員佛勞許(Carl Frosch) 和他的團隊,在發展矽氣態擴散技術時已發現:為了保持矽表面在高溫時不受氣態侵蝕,在擴散時需混入水蒸氣,而在擴散加熱過程中,水蒸氣會把矽的表面氧化,產生一層像水晶一樣的二氧化矽薄膜,來保護矽的表面。在1956年,貝爾實驗室的研究員發表了矽與二氧化矽的基本性能,發現這層薄膜結構完美,高度絕緣。同時矽和二氧化矽的接面上很少瑕庇,沒有多少被困縛的電子層來影響矽的性能。
貝爾實驗室這個重要的研究結果,在工業界沒有受到充分的留意。早期大家用擴散技術製造鍺電晶體時,產生的氧化鍺薄膜性能不穩定,又有導電性,所以在擴散步驟完成後,必須完全除去。但電晶體材料換成矽後,大家不加思索沿用當初用在鍺上的步驟,把最理想的二氧化矽也除去。其實這不但不必要,而且這層二氧化矽是對電晶體最有效的保護。這種錯誤在日常生活中經常會發生。有時各種基本因素已經改變了,但人們仍會不加思索的沿用習慣的舊辦法去做,錯失良機。……(待續)

Admin
Admin

文章數 : 15038
注冊日期 : 2009-07-11

http://winggundam.show5forum.com

回頂端 向下

DPZ - 電的旅程 - 頁 11 Empty 回復: DPZ - 電的旅程

發表 由 Admin 周日 2月 09, 2014 8:40 am

「第十五章:矽谷與晶片」
<平面製程與晶片 ( 6 )>……(續上)
在快捷半導體「八叛徒」中,有一位瑞士籍的理論物理專家,名叫何尼(Jean Hoerni),他認識到高台型電晶體在可靠度及良率方面的弱點,一直在思考一個更好的辦法來大規模生產矽電晶體。他熟悉貝爾實驗室對二氧化矽薄膜的基本研究及光刻技術的進展,認為這兩個技術結合起來,可能會提供一個極佳的答案。
1957年底,何尼徹底想通了一個新的程序來製造矽電晶體:盡量利用擴散時產生的二氧化矽薄膜,來保護矽的表面,再在製造過程中重複使用光刻、酸蝕、擴散及薄膜金屬等工藝。這個方法可有效的用二氧化矽保護敏感的p-n接面,而所有在晶圓上製成的元件都在同一個平面上,不再有高台與深谷。何尼把這套製造程序命名為「平面製程」(planar process)。他的想法差不多給擱置了一年,因為大家忙著生產高台型電晶體,以應付顧客的需求。
1959年1月,何尼終於有機會用平面製程,製成了第一枚電晶體,過程中要用四次光刻步驟。經測試後,何尼發現,用平面製程做出來的電晶體性能遠比高台製程做出來的好,可靠度及良率均大幅提高。諾宜斯等人充分意識到,這是電晶體製造技術中一個極重要的新發展,於是一方面開始申請專利,一方面做了一個果斷的決定:從今以後,所有快捷半導體的產品都轉用平面製程來生產。…… (待續)

Admin
Admin

文章數 : 15038
注冊日期 : 2009-07-11

http://winggundam.show5forum.com

回頂端 向下

DPZ - 電的旅程 - 頁 11 Empty 回復: DPZ - 電的旅程

發表 由 Admin 周日 2月 09, 2014 8:41 am

「第十五章:矽谷與晶片」
<平面製程與晶片 ( 7 )>……(續上)
在申請專利時,律師詢問大家,還有什麼其他跟平面製程有關的發明,可寫到申請書中?諾宜斯提出,用平面製程可以很輕易的把三極體、二極體、電阻、電容等晶片上的元件,用光刻的金屬薄膜技術自然又可靠的連接在一起,形成積體電路,不需像基爾比那樣,必須用焊接的金線。幾個月後那斯特(Jay Last)就成功示範了諾宜斯的概念,用平面製程生產了由三枚電晶體組成的正反器邏輯電路。這是一個劃時代的成就,因為這個積體電路的技術方向走對了,帶動了積體電路時代的正式開始!從此人類可以在晶片上駕馭電子。在以後五十多年的發展過程中,雖然一個晶片已可包括幾十億枚電晶體,但製造技術及流程,基本上還是何尼平面製程與諾宜斯積體電路的延伸。
概括來說,晶片技術的成功源於四個重要概念。首先在1958年,基爾比第一個想到把整個電路集積在同一晶片上;更重要的是,他在實驗室做了明確的示範。但是他沒有想出可靠的辦法,把晶片上各個細小的元件連接起來,欠缺了積體電路最核心的關鍵。德儀為了保密,沒有宣布基爾比的結果,所以當時基爾比的發明對電子技術界的科研沒有影響,是一個技術上孤立而無後繼的發展。……(待續)

Admin
Admin

文章數 : 15038
注冊日期 : 2009-07-11

http://winggundam.show5forum.com

回頂端 向下

DPZ - 電的旅程 - 頁 11 Empty 回復: DPZ - 電的旅程

發表 由 Admin 周日 2月 09, 2014 8:41 am

「第十五章:矽谷與晶片」
<平面製程與晶片 ( 8 )>……(續上)
在1957年,快捷半導體的何尼發展了一套平面製程的想法,不過一直到1959年才成功示範。他的目標只是要發展一個更可靠的方法,來大量生產電晶體,沒有想到可簡單的延伸為積體電路。
1959年在申請平面製程專利過程中,激發了諾宜斯的創意,想到了延伸平面製程,可以很自然的連接晶片上各種元件,而成為積體電路。諾宜斯在這個過程中,還借用了拉侯威克(Kurt Lahovec)的發明,就是用擴散技術來隔離晶片上各個元件間,由於矽晶本身導電而存在的耦合性。在晶片製造過程中,這一步驟也很自然的融合進平面製程中。
現代實用的晶片技術,是由何尼的平面製程、再加上諾宜斯延伸的元件連接概念為主軸。今天大家把晶片的發明歸功於基爾比及諾宜斯,雖不無道理,但不完整,因為沒有何尼的平面製程,就根本沒有現代晶片技術!……(待續)

Admin
Admin

文章數 : 15038
注冊日期 : 2009-07-11

http://winggundam.show5forum.com

回頂端 向下

DPZ - 電的旅程 - 頁 11 Empty 回復: DPZ - 電的旅程

發表 由 Admin 周日 2月 09, 2014 8:41 am

「第十五章:矽谷與晶片」
<平面製程與晶片 ( 9 )>……(續上)
基爾比在2000年因為發明晶片技術而得到諾貝爾物理獎,當時諾宜斯及何尼均已逝世(諾貝爾獎在評審時只考慮還活著的候選人)。在某種意義上,基爾比是代表諾宜斯、何尼等所有對發展晶片技術有重大貢獻者,領取這項榮譽。基爾比在領獎時非常謙卑,還特別提到諾宜斯。他常常講起自己不是科學家而是工程師,對他來說,科學家的職責是追尋自然界的真知,而工程師的職責是專門解決技術問題。
除了在晶片上的貢獻外,1968年基爾比在德儀負責發展微型計算機技術時,也開創了一個劃時代的新產品。為了解決計算機上需要低價顯像的難題,他發明了運用「熱感應」原理的微型印刷機。基爾比是第一流的工程師,一生以解決技術難題為樂,他在2005年因癌症逝世,享年八十一歲。…… (待續)

Admin
Admin

文章數 : 15038
注冊日期 : 2009-07-11

http://winggundam.show5forum.com

回頂端 向下

DPZ - 電的旅程 - 頁 11 Empty 回復: DPZ - 電的旅程

發表 由 Admin 周日 2月 09, 2014 8:41 am

「第十五章:矽谷與晶片」
<平面製程與晶片 ( 10 )>……(續上)
諾宜斯的事蹟,留待後面再詳述,在這裡再補充一下何尼的生平。
何尼出生在瑞士,從小喜歡攀登雪峰。在求學時功課出色,立志成為物理學家。他先在日內瓦大學取得物理博士學位,再去劍橋大學專攻理論物理,取得第二個博士學位,最後到加州理工學院做博士後研究,一生的訓練方向都朝著要做一個學者型的理論物理學家。想不到的是,1954年在加州理工學院遇上了蕭克萊,讓蕭克萊留下了深刻的印象。1955年蕭克萊創業時,各處招兵買馬,想到了何尼,特意親自去加州理工學院邀他加盟。何尼從來沒有想過進入工業界,但蕭克萊的邀約讓何尼盛情難卻,最後決定一試。就這樣他參加了蕭克萊實驗室,後來成了八叛徒之一,參與創立了快捷半導體。
創業之初,大家都忙著發展產品、應對客戶,但何尼仍保留著學者風範,時刻留意各處研究所發表的論文,尤其是貝爾實驗室在半導體方面的研究。他把這些基本知識和實際生產需要融合在一起,創出了平面製程,奠定了晶片技術的基石。何尼在1961年離開快捷半導體,先後創立了三家新的電子公司。他每年渡假時,最喜攀登位於喀什米爾的喀喇崑崙山脈。同是「八叛徒」之一的拉斯特,回憶何尼毅力及體力驚人,在艱難的攀登過程中可以長時間不吃不喝。何尼在1997年逝世前,將大半積蓄捐贈給中亞學會的「登峰基金」,資助登山者實現他們的夢想。何尼是現代電子技術最重要的貢獻者之一,但知名度遠不及諾宜斯與基爾比。……(待續)

Admin
Admin

文章數 : 15038
注冊日期 : 2009-07-11

http://winggundam.show5forum.com

回頂端 向下

DPZ - 電的旅程 - 頁 11 Empty 回復: DPZ - 電的旅程

發表 由 Admin 周日 2月 09, 2014 8:41 am

「第十五章:矽谷與晶片」
<平面製程與晶片 ( 11 )>……(續上)
晶片專利問題和其他新發明一樣,也在法庭上糾纏了十多年。雖然基爾比的申請比諾宜斯早,但諾宜斯反而先取得專利權。德儀不服上訴,法庭的判決多次反覆。德儀雖想獨享晶片專利,但也清楚知道如果不用快捷半導體的平面製程,沒有其他方法可實現基爾比的發明,所以在和快捷談判的過程中,德儀的底線就是能達到對自己最有利的妥協。
諾宜斯及摩爾等人當時都還是年輕的技術專家,他們覺得把各種元件做在一塊晶片上的想法非常明顯,屬於常識,沒有什麼了不起,而對於用幾乎是常識的專利來「勒索」他人的作風,情感上有一種抗拒感;不過同時他們也非常現實,知道專利權在市場競爭上的重要性,所以也一直在尋求最理想的妥協。
由於雙方的想法一致,快捷和德儀管理階層在1966年達成商業協議,決定共同分享晶片專利權,其他公司必須分別向德儀及快捷繳交專利授權費。雖然兩間公司在生意上達到了共識,但雙方的律師團繼續惡鬥,毫無意義的玩弄文字遊戲,直到1971年最高法院判決諾宜斯贏了這場官司,但結果已沒有實質上的重要性。在專利權有效期間,德儀及快捷各自取到了數以億計的授權費,很多來自日本,對兩間公司在那段時期的盈利至為重要。……(待續)

Admin
Admin

文章數 : 15038
注冊日期 : 2009-07-11

http://winggundam.show5forum.com

回頂端 向下

DPZ - 電的旅程 - 頁 11 Empty 回復: DPZ - 電的旅程

發表 由 Admin 周日 2月 09, 2014 8:41 am

「第十五章:矽谷與晶片」
<平面製程與晶片 ( 12 )>……(續上)
貝爾實驗室在電晶體及眾多其他技術的開發上,居有絕對的領導地位,但在晶片發展史上,卻扮演著配角的角色。這是什麼原因呢?最大的理由可追溯到貝爾實驗室新上任的研究主管莫頓。莫頓是當年把點觸電晶體和接面電晶體產品化的負責人。這些早期的技術,從材料到製程都非常不成熟。研究人員示範了可行性,就算大功告成,盡得榮耀,但負責生產的人,要做到產品能達到要求的性能、可靠度、良率、成本限制等,是一件極困難又不討好的事。最後莫頓和他的團隊可以成功的量產這些早期的元件,實在非常了不起。
但在這過程中,莫頓深諳半導體技術生產之困難。當大量生產接面電晶體時,他用的是高台製程,良率很低,達到20%~30%已經相當不錯了。可是在晶片中需要把很多電晶體連接在一起,每枚晶片中只要有一個電晶體不符合規格,整個產品就要作廢。如果每一個電晶體的良率是30%,而晶片中有7個電晶體,那麼平均每枚晶片的良率只有0.02%,幾乎是零。所以單純從良率的角度來看,大型晶片根本是沒有前途的妄想。
莫頓到處宣揚他「數目上的暴虐」(tyranny of numbers)這個概念,提醒大家對晶片的發展不要過分樂觀。其實莫頓太受個人經驗的束縛,而諾宜斯等人初生之犢不怕虎,用上了貝爾實驗室自己研發的二氧化矽知識,開發了平面製程,徹底改變了傳統的材料及製造技術。後來晶片技術的成功程度,是當時最樂觀的人也夢想不到的。有感於斯,諾宜斯對年輕人有一句名言:「不要受歷史束縛,放膽去做一些佳妙的事!」(Don’t be encumbered by history, go off and do something wonderful!)……(完)

Admin
Admin

文章數 : 15038
注冊日期 : 2009-07-11

http://winggundam.show5forum.com

回頂端 向下

DPZ - 電的旅程 - 頁 11 Empty 回復: DPZ - 電的旅程

發表 由 Admin 周日 2月 09, 2014 8:41 am

「第十五章:矽谷與晶片」
<快捷與矽谷現象 ( 1 )>
再回頭看一看1960年代的快捷半導體公司。在諾宜斯及摩爾的領導下,公司對技術開發特別重視,不斷從世界各地聘請很多一流人才。研發的方向也非常實際,有效的面對市場需求。快捷半導體公司成立後才兩年,總公司看到這個新組織的盈利前途很樂觀,決定運用創業文件上的一個條款,把洛克及「八叛徒」所擁有的30%股份收購回來。
諾宜斯等人雖然沒有選擇,但每人當初的500元投資兩年後變成了25萬元回報,從投資角度來看已是非常理想,可是從各人心態上來說,就大不相同了──從此快捷半導體已經不是自己的企業,大家不過是為公司「打工」而已,拚搏精神已大打折扣,同時各人經濟上也有了一些基礎,必要時離開快捷已沒有牽掛。……(待續)

Admin
Admin

文章數 : 15038
注冊日期 : 2009-07-11

http://winggundam.show5forum.com

回頂端 向下

DPZ - 電的旅程 - 頁 11 Empty 回復: DPZ - 電的旅程

發表 由 Admin 周日 2月 09, 2014 8:42 am

「第十五章:矽谷與晶片」
<快捷與矽谷現象 ( 2 )>……續上
位於紐約的總公司對半導體產業毫不瞭解,雙方的文化和作風也大相逕庭,時有衝突。快捷總部把半導體部門的利潤都抽回公司,只留極少部分繼續投資。資金的短缺,拖慢了快捷半導體業務發展的速度,很多項目及計畫需要總公司批准,但總公司反應遲緩,時有失誤,白白損失很多市場機會。諾宜斯及摩爾等管理階層,對公司總部並無特別的歸屬感及忠誠度,公司裡很多人知道留在快捷已沒有什麼前途,決定帶著技術離開去創業。
當時在北加州,創投的機制已逐漸形成。只要有好的技術、產品及市場,資金不難找到,於是開創了一股創業風氣。從1959年開始,快捷特別聘請回來的業務總經理先帶著一批人出去創立了Rheem半導體公司,在以後十年間,這股風氣沒有停止過,並且愈演愈烈。在矽谷有超過四百多家和電子工業有關係的公司,都直接或間接與快捷有淵源,這個現象在世界工業史上很少有同樣的情形。……(待續)

Admin
Admin

文章數 : 15038
注冊日期 : 2009-07-11

http://winggundam.show5forum.com

回頂端 向下

11頁(共16頁) 上一頁  1 ... 7 ... 10, 11, 12 ... 16  下一步

回頂端


 
這個論壇的權限:
無法 在這個版面回復文章